时间：2025/9/14 15:50:01
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BUK6Y14-40PX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻、高耐压能力以及良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（@Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：1.4mΩ（@VGS=10V）
封装形式：PowerSO-10
工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
BUK6Y14-40PX具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）仅为1.4mΩ，这大大降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，能够在高频率下稳定工作，同时具备良好的热稳定性，适用于高功率密度设计。此外，其栅极驱动电压范围宽，支持标准逻辑电平驱动，提高了与控制电路的兼容性。
在可靠性方面，BUK6Y14-40PX具备较高的雪崩能量承受能力和抗短路能力，能够在恶劣工况下保持稳定运行。其采用的PowerSO-10封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适合用于空间受限的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
BUK6Y14-40PX适用于多种功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用，如服务器电源、电信设备电源、电动汽车充电系统以及便携式电子设备的电源管理模块。
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"BUK6Y15-40P",
"BUK6Y13-40P",
"BUK6Y12-40P",
"BUK6Y11-40P"
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