时间：2025/9/14 5:38:12
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BUK6Y10-30PX 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用增强型垂直沟槽技术。该器件主要用于高效率电源转换应用，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和负载开关。BUK6Y10-30PX 具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适合用于高功率密度设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：300V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
BUK6Y10-30PX 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件具有高击穿电压能力，可承受瞬态电压波动，提高了系统的稳定性和可靠性。
此外，BUK6Y10-30PX 具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，适用于紧凑型设计。其栅极驱动电压范围宽，便于与多种控制电路兼容。
该MOSFET的封装形式为TO-220AB，具有良好的散热能力和机械稳定性，适用于各种工业和消费类应用。
BUK6Y10-30PX 广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等场合。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
此外，BUK6Y10-30PX 也可用于LED照明驱动器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备和家用电器中的功率控制模块。
[
"BUK6Y10-30A",
"BUK6Y10-40PX",
"STP10NM50N",
"IRFPC50"
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