BUK6D81-80EX 时间：2025/9/14 7:47:22 阅读：9

BUK6D81-80EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件采用先进的TrenchPlus?技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、工业自动化设备、电池充电系统等多种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：180A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.2mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　安装方式：表面贴装
　　功率耗散（Ptot）：200W

特性

BUK6D81-80EX采用NXP先进的TrenchPlus?沟槽技术，实现了极低的Rds(on)值，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET具有高电流承载能力，在180A的连续漏极电流下仍能保持稳定工作，适用于高功率密度设计。其TO-263（D2PAK）封装形式提供了良好的散热性能，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。此外，该器件具有优良的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力开关条件下的可靠性。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。器件在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于严苛的工业和车载应用环境。其封装结构优化了热阻，有助于提高长期工作的稳定性和寿命。
　　在开关性能方面，BUK6D81-80EX具有快速开关响应能力，开关损耗低，适合高频开关应用。其内部结构设计降低了寄生电感，提升了整体动态性能。此外，该器件具有良好的短路耐受能力，在过载或异常工况下能有效保护电路。其栅极氧化层设计增强了抗静电能力，提升了器件的耐用性。由于其优异的导热性能和封装散热设计，可以在高温环境下维持较低的结温，从而提高系统整体的可靠性和效率。

应用

BUK6D81-80EX广泛应用于多种功率电子系统中，如高效率同步整流DC-DC转换器、电源管理系统、工业电机驱动器、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、太阳能逆变器、车载充电系统、服务器电源、电信设备电源模块以及高功率LED照明驱动电路。其出色的导通性能和散热设计使其成为高性能电源转换系统的理想选择。