时间：2025/9/14 2:57:43
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BUK6D81-80E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于功率MOSFET系列。该器件采用先进的Trench技术，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于高效率和高功率密度的电源应用。BUK6D81-80E的封装形式为D2PAK，便于散热和安装，广泛应用于电源转换器、电机控制、DC-DC转换器以及工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：81A
导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ（典型值）
最大功率耗散：250W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：D2PAK
BUK6D81-80E具有低导通电阻的特点，使其在高电流应用中表现出色，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其高栅极击穿电压（±20V）确保了器件在高噪声环境中的可靠性和稳定性。
该MOSFET采用了先进的Trench技术，进一步优化了性能，同时在高频率开关应用中表现出良好的动态特性，降低了开关损耗。此外，其D2PAK封装具有良好的散热性能，能够有效处理大功率应用中的热量，提高器件的可靠性和寿命。
BUK6D81-80E还具备快速开关能力，适用于高频开关电源和高效率转换器设计。其高电流能力和低热阻特性使其成为需要高功率密度的系统的理想选择。
BUK6D81-80E广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中，包括DC-DC转换器、电源供应器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。该器件的高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效率和高功率密度的电源转换应用。
在电源转换器设计中，BUK6D81-80E能够显著提高系统效率并降低热损耗，从而减少散热需求并提高整体系统可靠性。在电机驱动器和电池管理系统中，该MOSFET能够提供稳定的电流控制和高效的能量传输，确保系统的稳定运行。
BUK6D81-80E的替代型号包括IRF1405（Vishay）和IPB080N04NG（Infineon）。
