时间：2025/9/14 18:25:33
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BUK6D385-100EX是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的功率MOSFET器件，属于高性能、低导通电阻的功率场效应晶体管。该器件基于先进的Trench MOSFET技术，具有出色的导通性能和热稳定性，适用于高效率电源转换和功率管理应用。该MOSFET采用双通道封装结构，可有效提高电流承载能力和散热性能，适用于多种工业和汽车电子应用。
类型：功率MOSFET
技术：Trench MOSFET
通道类型：双通道
漏源电压（Vds）：100V
连续漏极电流（Id）：38A
导通电阻（Rds(on)）：2.3mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：80nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
BUK6D385-100EX的主要特性包括其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件的双通道设计允许在高电流应用中并联使用，以实现更高的电流处理能力。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于苛刻的工业和汽车应用环境。其Trench MOSFET技术提供了优越的开关性能，降低了开关损耗，并提高了器件的可靠性。此外，该器件的封装设计有助于有效散热，确保在高负载条件下的长期稳定性。
此外，BUK6D385-100EX在栅极驱动方面具有较低的电荷需求，这有助于减少驱动电路的功耗和复杂性。该器件还具有较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流应力，从而提高系统的安全性。其宽泛的工作温度范围也使其适用于各种恶劣的工作环境。
BUK6D385-100EX广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）、工业自动化设备以及高功率LED照明系统等。由于其出色的导通性能和热管理能力，该器件特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。
SiR142DP-T1-GE3, IPB120N10N3 G, IRF3710PBF
