时间：2025/9/14 14:37:07
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BUK6C3R3-75C,118 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效率和紧凑设计的系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：3.3mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：135W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
BUK6C3R3-75C,118 MOSFET具有多项优良特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）为3.3mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（额定连续漏极电流为120A）使其非常适合用于高功率密度应用。此外，该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术，提供更优的开关性能和热稳定性。其最大漏源电压为75V，适合用于中等电压功率转换器、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件的封装形式为TO-220AB，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
在热性能方面，BUK6C3R3-75C,118具有出色的热稳定性，功率耗散可达135W，并可在高达175°C的结温下工作，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围为±20V，通常在10V驱动电压下工作以实现最佳导通性能。该MOSFET还具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关应用。综上所述，BUK6C3R3-75C,118是一款高性能功率MOSFET，适用于多种高效率电源管理场景。
BUK6C3R3-75C,118广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统中。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计。在工业自动化设备中，它可用于控制电机、执行器和继电器等高功率负载。此外，该MOSFET也可用于电信设备、服务器电源、LED照明系统和智能电网相关应用。在汽车电子领域，该器件适用于车载充电系统、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统中的电源管理模块。由于其优异的热稳定性和可靠性，BUK6C3R3-75C,118也常用于需要长时间运行的工业和汽车应用中。
IRF1405, STP120N7F7, SiR142DP, BUK6C4R0-75A
