时间：2025/12/28 14:26:10
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BUK663R7-75C,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的一款高性能N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛用于各种电源管理和开关应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供高效率、低导通电阻和优良的热性能。其主要设计目的是满足高功率密度和高效能转换的需求，例如在DC-DC转换器、电源供应器和负载开关中。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：75V
连续漏极电流(Id)：150A（Tc=25°C）
功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263 (D2PAK)
导通电阻(Rds(on))：典型值为3.7mΩ（最大值4.5mΩ）
栅极电荷(Qg)：165nC
输入电容(Ciss)：3240pF
封装尺寸：约10.16mm x 9.4mm x 4.45mm
BUK663R7-75C,118 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件的TrenchMOS技术使其在高电流下仍能保持优异的性能，并具有良好的热稳定性。此外，它具有高雪崩能量耐受能力，能够在过载或短路情况下保持可靠运行。
该MOSFET采用TO-263表面贴装封装，便于自动化装配并提供良好的热管理能力。其内部结构优化，具有快速开关特性，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。此外，该器件符合RoHS标准，符合环保要求。
另一个重要特性是其高可靠性，适用于严苛环境下的工业和汽车应用。其设计确保在高温环境下仍能维持稳定性能，并具有优异的长期稳定性。
BUK663R7-75C,118 常用于多种电源管理与功率转换应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具电源、服务器和电信电源系统。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和车身控制模块。
由于其高效率和低导通电阻，该器件在需要高功率密度的设计中特别受欢迎。它还可用于电机控制、电源管理和高电流负载切换等场景。在工业自动化设备和嵌入式系统中，BUK663R7-75C,118 提供可靠的开关性能，确保系统运行稳定。
IPB075N15N3 G
IRF150
SiS430DY
FDS4410A
BUK664R7-100C,118
