时间：2025/9/14 11:15:13
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BUK663R5-30C 是一款由 NXP（恩智浦）推出的高性能功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件封装在高性能的 LFPAK56（Power-SO8）封装中，便于散热和集成在紧凑型电路设计中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：160A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：LFPAK56 (也称为 Power-SO8)
BUK663R5-30C 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.5mΩ，这使其在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件采用了先进的 Trench MOSFET 技术，使得导通损耗和开关损耗达到良好平衡，适用于高频开关应用。
另一个关键特性是其高电流承载能力，最大连续漏极电流可达 160A，适合用于大功率 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路等场景。同时，该器件具备良好的热稳定性，其 LFPAK56 封装设计具有优异的热传导性能，有助于在高负载条件下维持稳定的工作温度。
此外，BUK663R5-30C 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 4.5V 至 20V 驱动电压，兼容多种栅极驱动器设计，增强了设计灵活性。该器件还具有良好的短路耐受能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。
BUK663R5-30C 广泛应用于各类高效率功率电子系统中。典型应用场景包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源和汽车电子系统。在服务器和通信设备的电源系统中，该器件可作为主开关或同步整流开关，显著提升电源转换效率。
在汽车电子领域，BUK663R5-30C 适用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和启停系统中的功率管理模块。由于其高可靠性和优异的热性能，也常用于高要求的工业控制和自动化设备中，如伺服驱动器和变频器。
此外，该 MOSFET 还适用于高功率密度电源模块设计，尤其是在需要并联使用多个 MOSFET 的应用中，其低 Rds(on) 和良好的一致性有助于实现高效的功率分配和热管理。
SiR142DP, BSC036N03MS, IPB011N03LC, FDS6680, AO4407
