时间：2025/9/14 1:32:55
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BUK662R4-40C,118 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的功率MOSFET器件。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效能功率转换的应用场景。该MOSFET为N沟道增强型，适合用于开关电源、电机控制以及负载管理等应用。其封装形式为TO-220AB，便于散热并适用于工业级环境。
类型：功率MOSFET
极性：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
功耗（Pd）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
BUK662R4-40C,118 的关键特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件采用了NXP先进的TrenchFET技术，使MOSFET在相同尺寸下提供更高的电流能力和更低的Rds(on)。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在高功率条件下保持稳定运行。其高电流处理能力使其适合用于高负载应用，如DC-DC转换器、电动工具、工业电机控制以及电池管理系统。
该MOSFET还具有良好的开关性能，支持高频操作，有助于减小外围元件的尺寸并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，同时也支持逻辑电平控制，适用于多种控制器和驱动电路配置。TO-220AB封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定运行，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的环境。
此外，该器件具备较高的耐用性和可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于汽车电源系统、电动车辆以及混合动力汽车的功率管理模块。其封装材料符合RoHS环保标准，支持绿色电子制造。
BUK662R4-40C,118 广泛应用于需要高电流、低导通损耗的功率系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及电动工具和机器人控制系统。此外，该器件也常用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车的功率模块中。其高可靠性和耐久性也使其成为汽车电子系统中的理想选择，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。
IPB015N04N、IRF1404、STP150N4F6AG、SiSS140DN
