时间：2025/9/14 12:24:46
阅读：10
BUK661R9-40C,118 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源转换应用而设计，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及电机驱动等场合。其封装形式为D2PAK（TO-263）封装，便于散热并支持表面贴装工艺。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：1.9mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：D2PAK（TO-263）
BUK661R9-40C,118 具备多个显著的性能优势。首先，其导通电阻仅为1.9mΩ，能够有效降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的额定漏极电流为100A，能够在高负载条件下稳定运行。此外，MOSFET采用了先进的沟槽式功率技术，提供了优异的热性能和高可靠性。
其D2PAK封装设计不仅支持高功率应用中的有效散热，还符合RoHS环保标准，适用于自动化表面贴装流程。器件的工作温度范围广泛，从-55°C到+175°C，使其能够在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为4.5V至10V，兼容常见的驱动电路设计，便于集成到多种电源拓扑结构中。此外，其具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高系统整体效率。结合其高耐压能力和低RDS(on)特性，BUK661R9-40C,118是一款适用于高功率密度和高效率电源设计的理想选择。
BUK661R9-40C,118 适用于多种功率电子系统，广泛用于DC-DC转换器、服务器电源、电信电源、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及汽车电子应用中。其高电流能力和优异的热稳定性使其在高性能电源管理模块中表现出色。
IPB090N04N, INF1R9N04C, STP100N4F6, BUK651R9-40H
