时间：2025/12/23 21:06:49
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BUK6207-55C是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC/DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景中。
该芯片具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力和良好的热性能。其优化的栅极电荷设计使其能够实现快速开关，从而减少开关损耗并提高整体效率。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：135nC
总栅极电荷：165nC
输入电容：1690pF
功耗：160W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
BUK6207-55C的主要特点是低导通电阻和出色的热稳定性，这使得它在高功率密度应用中表现优异。
1. 具有超低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.8毫欧姆，在高频开关操作时可以显著降低传导损耗。
2. 提供高电流能力，能够支持高达34A的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
3. 快速开关性能得益于优化的栅极电荷设计，有助于降低开关过程中的能量损耗。
4. 宽泛的工作温度范围从-55°C到+175°C，适应极端环境条件下的稳定运行。
5. TO-220封装提供良好的散热特性，简化了散热设计。
BUK6207-55C适用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 负载切换电路
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电管理
6. 工业自动化设备中的功率控制
7. 汽车电子系统中的电源管理单元
IRFZ44N
STP36NF06L
AO3400A
