时间：2025/3/24 10:38:12
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BUK555-60A 是一款 N 沟道功率场效应晶体管 (MOSFET)，由安森美半导体 (ON Semiconductor) 制造。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业和消费类电子设备中。
BUK555-60A 的设计使其能够在高频条件下保持高效运行，同时具备良好的耐用性和稳定性，非常适合需要高性能和可靠性的应用场合。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：98nC（典型值）
总功耗：175W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，能够满足高频应用需求。
3. 良好的热稳定性和散热性能，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 强大的过流能力和短路耐受能力，增强了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
6. 支持表面贴装和通孔安装两种方式，方便用户根据实际需求选择合适的封装。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业逆变器和变频器。
4. 照明系统，例如 LED 驱动。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
6. 各种消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
IRFB4110,
STP32NE60,
FDP32N60A
