BUK456200A 时间：2025/12/27 17:33:24 阅读：15

BUK456200A是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术制造。该器件专为高效率、高功率密度的应用环境设计，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及工业控制系统等领域。其优异的导通电阻和开关特性使其在低电压、大电流的应用中表现出色，尤其适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。BUK456200A封装在可靠的D2PAK（TO-263）封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，能够在高温和高负载条件下稳定运行。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品的需求。由于其高可靠性和成熟的技术平台，BUK456200A被广泛用于电信设备、服务器电源、汽车电子以及工业电源模块等关键应用场合。

参数

型号：BUK456200A
　　制造商：NXP Semiconductors
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：200 V
　　连续漏极电流（ID）：31 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：max 70 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 15.5 A
　　导通电阻RDS(on)：max 90 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 15.5 A（高温条件）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 2800 pF @ VDS = 100 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：约 470 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 47 ns
　　最大功耗（Ptot）：200 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：D2PAK (TO-263)

特性

BUK456200A采用NXP成熟的TrenchMOS沟槽型垂直场效应晶体管技术，这种结构显著降低了导通电阻RDS(on)，同时提升了器件的电流处理能力。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为70mΩ，这意味着在大电流工作条件下能够有效减少功率损耗，提高整体系统效率。该特性特别适用于高负载电源转换场景，例如开关模式电源（SMPS）、同步整流电路以及电机控制中的H桥驱动。
　　该器件具有出色的热稳定性和可靠性，在满载工作时可通过D2PAK封装实现高效的散热管理。其高达200W的最大功耗能力和+175°C的最大结温允许其在恶劣环境下长期运行，无需额外复杂的冷却措施。此外，BUK456200A具备优良的雪崩能量耐受能力，增强了其在瞬态过压或感性负载切换过程中的鲁棒性。
　　输入电容和输出电容的优化设计使得BUK456200A在高频开关应用中表现良好，减少了驱动电路的负担，并降低了开关损耗。其栅极电荷（Qg）较低，有助于提升开关速度并降低驱动功耗，适用于频率高达数百kHz的DC-DC变换器。
　　该MOSFET还具备良好的抗短路能力和过温保护兼容性，常与控制器配合用于构建智能功率模块或冗余电源系统。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（典型47ns），可在续流过程中减少反向恢复损耗，避免电压尖峰对系统造成干扰，从而提升整体系统的电磁兼容性（EMC）性能。

应用

BUK456200A广泛应用于多种高功率密度和高效率要求的电子系统中。在开关电源领域，它常被用作主开关管或同步整流管，特别是在AC-DC和DC-DC转换器中，能够显著提升转换效率并降低温升。其低RDS(on)和高电流能力使其成为服务器电源、通信电源和工业电源模块的理想选择。
　　在电机驱动应用中，BUK456200A可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低功耗控制。由于其高耐压（200V）和强电流驱动能力，也适用于电动工具、家用电器和小型工业设备中的功率控制模块。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器或储能电源，该器件可用于直流侧开关或MPPT（最大功率点跟踪）电路中，确保能量高效转换。此外，在汽车电子领域，尽管并非AEC-Q101认证器件，但BUK456200A仍可用于车载辅助电源、LED驱动或电池管理系统中的非安全关键部分。
　　工业自动化控制系统中，该MOSFET可用于PLC输出模块、固态继电器或电磁阀驱动器，提供可靠且快速的开关动作。其D2PAK封装便于安装在散热片上，适合批量生产和自动化贴装工艺，广泛用于工业级电源板和功率模块的设计中。