BUK455-500B 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET,适用于需要高效率和低导通电阻的开关应用。该器件采用TO-220封装形式,具备出色的电气特性和散热性能,使其成为工业、消费电子及汽车领域中常见的功率转换和电机驱动应用的理想选择。
BUK455-500B 的主要特点是其较低的导通电阻和较高的电流处理能力,从而能够有效减少功率损耗并提升系统整体效率。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:5.8A
导通电阻(Rds(on)):1.6Ω(在Vgs=10V时)
栅极电荷:37nC
功耗:92W
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 高击穿电压(500V),适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗。
3. 快速开关特性,减小了开关损耗。
4. 良好的热稳定性,可承受较宽的工作温度范围。
5. 具备雪崩能量处理能力,增强了器件的可靠性。
6. TO-220封装提供良好的散热性能和易于安装的特点。
BUK455-500B 广泛应用于多种功率转换和控制场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。
2. 电机驱动和控制电路。
3. 工业自动化设备中的功率管理。
4. 家用电器中的负载切换。
5. 汽车电子中的继电器替代和电池管理系统。
6. 照明系统的调光控制和镇流器应用。
IRF540N, STP55NF06, FQP50N06L