时间：2025/5/7 18:55:42
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BUK209-50Y是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要低导通电阻和高电流处理能力的电路中。
BUK209-50Y以其优异的电气特性和可靠性，在工业控制、消费电子以及汽车电子等领域得到广泛应用。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：34A
导通电阻：1.7mΩ（典型值，于Vgs=10V时）
栅极电荷：39nC（典型值）
开关时间：开通延迟时间68ns，上升时间26ns；关断延迟时间31ns，下降时间16ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
BUK209-50Y具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达34A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并改善高频性能。
4. 耐热性优异，允许在最高结温为+175℃的条件下工作。
5. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，适合各种严苛的工作环境。
BUK209-50Y适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. 各类电机驱动器，例如步进电机、无刷直流电机等。
3. 电池管理系统（BMS），用于电动车和储能设备中的充放电管理。
4. 逆变器设计，用于太阳能发电和不间断电源（UPS）。
5. 工业自动化中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统，如启动停止系统和电动助力转向系统（EPS）。
IRFZ44N, FDP55N50, STP36NF50
