BUK205-50Y是一款由Nexperia(原飞利浦半导体)生产的高压MOSFET,采用DPAK封装。该器件适用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,可有效提升电路效率并降低功耗。
BUK205-50Y属于P沟道增强型MOSFET,工作电压高达500V,适合需要高耐压特性的设计场景。
类型:P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS):500V
最大栅源电压(V_GS):±20V
持续漏极电流(I_D):5A
导通电阻(R_DS(on)):3.8Ω(在V_GS=-10V时)
总功耗(P_TOT):145W
结温范围(T_J):-55℃至175℃
封装形式:DPAK(TO-252)
BUK205-50Y具有以下主要特性:
1. 高击穿电压,最高可达500V,确保在高压环境下稳定运行。
2. 较低的导通电阻(R_DS(on)),能够减少功率损耗,提高系统效率。
3. 支持大电流操作,最大漏极电流为5A,满足多种功率级需求。
4. 工作温度范围宽广,适应各种严苛环境条件。
5. 封装紧凑,便于PCB布局和散热管理。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
BUK205-50Y广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路,如直流电机或步进电机控制。
3. 负载切换和保护电路,例如过流保护和短路保护。
4. 汽车电子设备中的电源管理和信号调节。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 家用电器和消费类电子产品中的功率转换电路。
BUK206-50Y, BUK207-50Y