型号：BUK116-50L
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：16A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V典型值
　　最大功耗（Ptot）：150W
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ Vds=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45ns
　　封装类型：TO-220

BUK116-50L采用了英飞凌成熟的高压MOSFET制造工艺，具备出色的电气性能与可靠性。其低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持较小的导通损耗，从而提高了电源系统的整体能效。该器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在30nC左右，这意味着驱动电路所需的驱动功率较少，有利于简化驱动设计并降低外围元件成本。此外，其快速的开关速度使其非常适合高频开关应用，如SMPS（开关模式电源）、PFC（功率因数校正）电路以及逆变器等。
　　该MOSFET具有优良的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其体二极管经过优化设计，反向恢复时间短且软恢复特性良好，可有效减少开关过程中的电压尖峰和振荡，降低EMI风险。TO-220封装不仅提供了良好的散热路径，还便于安装在散热片上，进一步提升热管理能力。
　　在可靠性方面，BUK116-50L通过了严格的工业级测试认证，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及湿度敏感等级（MSL）评估，确保在恶劣环境下长期稳定运行。器件内部结构设计也考虑了热分布均匀性，避免局部热点导致早期失效。此外，该产品支持自动插入和回流焊工艺，兼容现代化生产线流程，提升了生产效率。

BUK116-50L常用于多种中高功率电力电子设备中，典型应用场景包括：通用开关电源（如AC-DC适配器、充电器）、不间断电源（UPS）、太阳能微型逆变器、电机驱动模块、工业自动化控制系统以及照明镇流器等。由于其高耐压和较强电流处理能力，它特别适合用作反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振变换器中的主开关器件。
　　在PFC升压电路中，BUK116-50L可以作为有源开关管使用，帮助实现接近1的功率因数，满足IEC 61000-3-2等谐波电流限制标准。同时，其快速响应特性也适用于脉冲宽度调制（PWM）控制策略，配合控制器IC实现精确的能量调节。在家电领域，该器件可用于空调、洗衣机和冰箱中的变频驱动单元，提升能效等级。
　　此外，BUK116-50L也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，或作为隔离式DC-DC转换器的初级侧开关，适用于电信电源、服务器电源及电动汽车车载充电机（OBC）辅助电源等场合。凭借其稳定的性能和成熟的供应链支持，该器件已成为许多工业和消费类电源设计中的优选方案之一。

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　　 "SPW47N50C3",
　　 "STP16NK50ZFP",
　　 "2SK3562",
　　 "IRFP460LC"
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