BUK10550S 时间：2025/12/27 18:28:44 阅读：7

BUK10550S是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchStop技术制造，专为高效率开关应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优化的栅极电荷和快速开关特性，适用于各种工业、消费类电子及电源管理系统中的高频DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动以及照明镇流器等应用场景。其封装形式为PG-HSOF-8-27，属于表面贴装型小型化封装，便于在紧凑型PCB布局中使用，并具备良好的热性能和电气隔离能力。BUK10550S工作温度范围宽，可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行，适合严苛环境下的可靠操作。此外，该MOSFET通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其在汽车电子系统中也具有较高的可靠性与耐用性，可用于车载电源模块或辅助电源系统中。器件的设计兼顾了效率与鲁棒性，在硬开关和软开关条件下均表现出色，能有效降低传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统能效。

参数

型号：BUK10550S
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：48 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：192 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.1 V 至 3.0 V
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10 V）：5.0 mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5 V）：6.0 mΩ
　　总栅极电荷（QG）：42 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：2350 pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：580 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：28 ns（典型值）
　　二极管反向恢复电荷（Qrr）：21 nC（典型值）
　　功耗（PD）：140 W（最大值）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：PG-HSOF-8-27

特性

BUK10550S采用了英飞凌领先的TrenchStop 5技术，这项技术结合了深沟槽结构与电场终止层设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其超低RDS(on)值仅为5.0 mΩ（在VGS=10V时），显著降低了在大电流条件下的导通损耗，提升了电源系统的整体能效。同时，该器件具备较低的栅极电荷（Qg），使得在高频开关应用中所需的驱动功率更小，有助于简化驱动电路设计并减少控制芯片的负担。由于其快速的开关速度和较短的反向恢复时间（trr=28ns），体二极管在同步整流或感性负载关断过程中表现良好，减少了交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
　　此外，BUK10550S内置的体二极管具有低Qrr特性，这进一步抑制了开关过程中的能量损耗和电压尖峰，提高了系统稳定性。器件的热阻抗（RthJC）较低，配合良好的PCB散热设计可实现高效的热量传导，避免局部过热导致的性能下降或失效。其PG-HSOF-8-27封装不仅体积小巧，还支持自动化贴片生产，适合大规模制造应用。更重要的是，该产品通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、机械振动、湿度测试等多项可靠性指标上满足汽车行业严格要求，因此不仅适用于工业电源，也可用于车载充电器、DC-DC变换器等汽车电子领域。综合来看，BUK10550S是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，能够在多种复杂工况下提供稳定的电力转换支持。

应用

BUK10550S广泛应用于需要高效能、高频率开关操作的电力电子系统中。常见用途包括服务器电源、通信电源、笔记本电脑适配器等各类开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器件；在DC-DC降压/升压转换器中作为功率开关元件，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计以满足现代处理器对动态响应和低纹波的要求；还可用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制器中实现PWM调速功能，凭借其低导通电阻和快速响应能力有效提升驱动效率并减少发热；此外，在LED照明驱动电源特别是高亮度LED恒流源设计中，该器件可用于初级侧开关拓扑结构，确保长时间运行下的稳定性和光输出一致性；在太阳能微型逆变器或储能系统的能量管理单元中，BUK10550S也能发挥其高效率优势；最后，得益于其通过AEC-Q101认证，该器件也被用于汽车电子系统，例如车载DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关以及车身电子模块的电源部分，展现出良好的环境适应性和长期运行可靠性。