型号：BUD636A
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600 V
　　最大漏极电流（Id）：3.5 A
　　最大功耗（Ptot）：40 W
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2 Ω（典型值，Vgs = 10 V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2 ~ 4 V
　　输入电容（Ciss）：500 pF（典型值，Vds = 25 V）
　　开启延迟时间（td(on)）：25 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：60 ns
　　工作温度范围：-55 ~ +150 °C
　　封装形式：TO-220

BUD636A的核心特性之一是其高达600V的漏源击穿电压，使其非常适合用于高压开关电源和离线式电源设计。在实际应用中，这种高耐压能力意味着器件可以在不加额外保护电路的情况下直接连接到整流后的市电电压，从而简化了电路设计并提高了系统集成度。同时，其1.2Ω的低导通电阻确保了在额定电流下具有较小的导通损耗，这对于提升电源转换效率至关重要。例如，在3.5A满载条件下，导通损耗仅为I2R = (3.5)^2 × 1.2 ≈ 14.7W，结合合理的散热设计可实现持续稳定运行。
　　另一个显著特点是其优化的动态特性。BUD636A具有较低的输入电容和反馈电容，这减少了高频开关过程中的驱动功率需求，并降低了米勒效应引起的误触发风险。其开启延迟时间为25ns，关断延迟时间为60ns，表明该器件具备较快的开关响应能力，适用于几十kHz至数百kHz的工作频率范围。这一特性使得它在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和半桥拓扑结构中表现优异，尤其适合中小功率AC-DC适配器、LED驱动电源和待机电源模块。
　　此外，BUD636A具备良好的热稳定性和可靠性。TO-220封装提供了较大的焊接触面，便于安装散热片以增强热传导效率。器件的最大工作结温可达150°C，配合热阻参数（Rth(j-c)约3°C/W），用户可以精确计算所需散热条件。该MOSFET还通过了IEC标准的相关认证，具有较强的抗雪崩能力和抗静电能力（ESD），能够在瞬态过压、雷击或负载突变等恶劣工况下保持安全运行，减少意外失效的风险。这些综合性能使BUD636A成为工业级和消费级电源产品中值得信赖的功率开关元件。

BUD636A主要应用于各类需要高压、中等电流开关功能的电力电子系统中。其典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），尤其是在20W至100W范围内的离线式反激变换器中作为主开关管使用。这类电源常见于电视机、显示器、路由器、充电器等家用电器和通信设备的内置电源模块。由于其600V的耐压能力，可以直接接入整流滤波后的310V直流母线电压，无需额外的降压或钳位电路，从而降低系统成本与复杂度。
　　在LED照明驱动领域，BUD636A可用于隔离型恒流驱动电路中，实现对LED灯串的高效调光与稳流控制。特别是在高功率LED路灯、工业照明和商业照明系统中，其高可靠性和长寿命特性能够满足长时间连续工作的需求。此外，该器件也适用于电机控制电路，如小型家电中的风扇电机、水泵驱动等场合，作为PWM控制下的功率开关，实现精确的速度调节与节能运行。
　　在工业自动化设备中，BUD636A常被用作继电器替代方案或固态开关，用于控制加热元件、电磁阀或其他执行机构的通断。由于其无触点特性，相比传统机械继电器具有更长的使用寿命、更快的响应速度和更低的电磁干扰。此外，在UPS不间断电源、逆变器和电池管理系统中，该MOSFET也可用于功率路径切换或能量回馈回路中，发挥其高效导通与快速关断的优势。总体而言，BUD636A凭借其稳健的电气性能和广泛的适用性，已成为多种嵌入式电源架构中的关键组件。

STP6NK60ZFP
　　STP5NC60FL
　　FQA3N60C