时间：2025/7/23 7:03:57
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BUB941ZT是一种高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用先进的平面工艺技术，具有低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性。BUB941ZT通常用于DC-DC转换器、开关电源、负载开关和电机控制等应用。其封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：14A
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
BUB941ZT MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有优异的电气性能和热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高击穿电压能力（60V）使其适用于多种中高功率应用场合。
此外，BUB941ZT具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在苛刻的工作环境下稳定运行。其TO-252（DPAK）封装形式不仅有助于提高散热效率，还方便进行自动化生产和安装。
该MOSFET的栅极驱动特性优化，能够与常见的PWM控制器兼容，适合用于高频开关操作。BUB941ZT还具有较高的短路耐受能力，增强了器件在异常工作条件下的可靠性。
BUB941ZT广泛应用于各类电源管理系统，包括DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、负载开关和电池管理系统。它也常用于电机控制、功率放大器和工业自动化设备中的功率开关部分。
在电动汽车和新能源领域，BUB941ZT可用于车载充电器、逆变器和能量管理系统。其高可靠性和优异的热性能使其在高温和高负载条件下仍能保持稳定运行，满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
BUB941ZT的替代型号包括BUZ106S、IRFZ44N和Si4410DY。
