BU931Z是一款由ROHM(罗姆)公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,作为高频率、高效率的开关元件。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的导通电阻和开关特性,适用于电源转换、马达控制、DC-DC转换器等应用领域。
类型:N沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):500mA
功耗(Pd):300mW
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
BU931Z具有低导通电阻的特性,能够在高电流负载下保持较低的功率损耗,从而提升系统效率。
该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压,提高了其在复杂电路环境下的稳定性。
由于其小型化的封装设计,BU931Z适用于空间受限的应用场景,同时具备良好的热稳定性。
此外,BU931Z还具备快速的开关特性,适用于高频操作环境,有助于减小外部电路的尺寸并优化系统性能。
其高可靠性和耐用性使其在工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域中得到了广泛应用。
BU931Z主要应用于电源管理系统,例如AC-DC适配器、DC-DC转换器和负载开关控制。
它也适用于马达驱动电路和LED照明控制电路,以提供高效的功率控制。
在消费类电子产品中,如便携式设备、智能家电和小型电子设备中,BU931Z可作为高效的开关元件使用。
此外,BU931Z也可用于电池供电设备中的节能电路设计,以延长设备的使用时间。
Si2302DS, 2N7002, FDN302P