您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BU931Z

BU931Z 发布时间 时间:2025/7/22 6:38:59 查看 阅读:11

BU931Z是一款由ROHM(罗姆)公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,作为高频率、高效率的开关元件。该器件采用先进的制造工艺,具有优异的导通电阻和开关特性,适用于电源转换、马达控制、DC-DC转换器等应用领域。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):500mA
  功耗(Pd):300mW
  导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C

特性

BU931Z具有低导通电阻的特性,能够在高电流负载下保持较低的功率损耗,从而提升系统效率。
  该器件的栅极氧化层设计能够承受高达±20V的栅源电压,提高了其在复杂电路环境下的稳定性。
  由于其小型化的封装设计,BU931Z适用于空间受限的应用场景,同时具备良好的热稳定性。
  此外,BU931Z还具备快速的开关特性,适用于高频操作环境,有助于减小外部电路的尺寸并优化系统性能。
  其高可靠性和耐用性使其在工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域中得到了广泛应用。

应用

BU931Z主要应用于电源管理系统,例如AC-DC适配器、DC-DC转换器和负载开关控制。
  它也适用于马达驱动电路和LED照明控制电路,以提供高效的功率控制。
  在消费类电子产品中,如便携式设备、智能家电和小型电子设备中,BU931Z可作为高效的开关元件使用。
  此外,BU931Z也可用于电池供电设备中的节能电路设计,以延长设备的使用时间。

替代型号

Si2302DS, 2N7002, FDN302P

BU931Z推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BU931Z资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载