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BU900TP 发布时间 时间:2025/7/22 14:55:31 查看 阅读:3

BU900TP 是一款由 Rohm(罗姆)公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于各种电子设备中进行电源管理和开关操作。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性,适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。BU900TP 采用小型表面贴装封装(如 TSON 封装),适合高密度 PCB 设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极-源极电压(Vds):30V
  栅极-源极电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A(在 Tc=25℃)
  脉冲漏极电流(Idm):40A
  导通电阻(Rds(on)):最大 15mΩ(在 Vgs=10V)
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TSON

特性

BU900TP 具备多项优良特性,使其在各种功率应用中表现出色。
  首先,该器件具有非常低的导通电阻(Rds(on)),最大仅为 15mΩ,在 Vgs=10V 的条件下,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。这对于需要高效能转换的 DC-DC 转换器和电池管理系统尤为重要。
  其次,BU900TP 支持高达 10A 的连续漏极电流(在 Tc=25℃ 条件下),并能够承受高达 40A 的脉冲漏极电流,使其适用于需要高电流开关的应用场景,如电机驱动和电源管理。
  此外,该器件采用了先进的沟槽栅极结构和硅工艺,提高了热稳定性和耐用性。其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃,能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。
  封装方面,BU900TP 采用 TSON 封装,体积小巧,适合高密度 PCB 设计,并具有良好的散热性能。这种封装形式不仅有助于减少 PCB 占用空间,还能提高整体系统的可靠性。
  最后,该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽,支持 ±20V,能够在不同的控制电路中灵活使用,简化设计并提高兼容性。

应用

BU900TP 主要应用于以下领域:
  1. **DC-DC 转换器**:由于其低导通电阻和高电流处理能力,BU900TP 非常适合用于升压(Boost)或降压(Buck)转换器,实现高效的电源转换。
  2. **电池管理系统**:在电池供电设备中,BU900TP 可作为负载开关或充放电控制开关,帮助优化电池使用效率并延长续航时间。
  3. **电机驱动**:该器件能够承受较大的瞬态电流,适用于小型电机的控制电路,如电动工具、风扇和机器人控制系统。
  4. **工业自动化设备**:BU900TP 的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于各种工业控制模块,如 PLC(可编程逻辑控制器)和继电器驱动电路。
  5. **汽车电子系统**:在汽车应用中,如车身控制模块、车载充电系统和 LED 照明驱动电路,BU900TP 能够提供稳定可靠的功率控制性能。

替代型号

Si4410BDY, IRF7413PBF, FDMS86101

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BU900TP参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - Trilinton,齐纳箝位
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)370V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)4V @ 3mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)7000 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大55W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳SOT-82
  • 供应商设备封装SOT-82-3
  • 包装管件