BU900TP 时间：2025/7/22 14:55:31 阅读：7

BU900TP 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电子设备中进行电源管理和开关操作。该器件具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。BU900TP 采用小型表面贴装封装（如 TSON 封装），适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在 Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 15mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装类型：TSON

特性

BU900TP 具备多项优良特性，使其在各种功率应用中表现出色。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），最大仅为 15mΩ，在 Vgs=10V 的条件下，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。这对于需要高效能转换的 DC-DC 转换器和电池管理系统尤为重要。
　　其次，BU900TP 支持高达 10A 的连续漏极电流（在 Tc=25℃ 条件下），并能够承受高达 40A 的脉冲漏极电流，使其适用于需要高电流开关的应用场景，如电机驱动和电源管理。
　　此外，该器件采用了先进的沟槽栅极结构和硅工艺，提高了热稳定性和耐用性。其工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业和汽车电子等严苛应用场景。
　　封装方面，BU900TP 采用 TSON 封装，体积小巧，适合高密度 PCB 设计，并具有良好的散热性能。这种封装形式不仅有助于减少 PCB 占用空间，还能提高整体系统的可靠性。
　　最后，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V，能够在不同的控制电路中灵活使用，简化设计并提高兼容性。

应用

BU900TP 主要应用于以下领域：
　　1. **DC-DC 转换器**：由于其低导通电阻和高电流处理能力，BU900TP 非常适合用于升压（Boost）或降压（Buck）转换器，实现高效的电源转换。
　　2. **电池管理系统**：在电池供电设备中，BU900TP 可作为负载开关或充放电控制开关，帮助优化电池使用效率并延长续航时间。
　　3. **电机驱动**：该器件能够承受较大的瞬态电流，适用于小型电机的控制电路，如电动工具、风扇和机器人控制系统。
　　4. **工业自动化设备**：BU900TP 的高可靠性和宽工作温度范围使其适用于各种工业控制模块，如 PLC（可编程逻辑控制器）和继电器驱动电路。
　　5. **汽车电子系统**：在汽车应用中，如车身控制模块、车载充电系统和 LED 照明驱动电路，BU900TP 能够提供稳定可靠的功率控制性能。