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BU808DFI 发布时间 时间:2022/12/29 17:06:18 查看 阅读:407

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: SOT-93


   

目录

概述

    制造商: STMicroelectronics

    产品种类: 达林顿晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: NPN

    封装 / 箱体: SOT-93

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 700 V

    发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

    集电极—基极电压 VCBO: 1400 V

    峰值直流集电极电流: 8 A

    功率耗散: 52 W

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Tube

    集电极连续电流: 8 A

    直流电流增益 hFE 最小值: 60 @ 5 A @ 5 V or 20 @ 5 A @ 5 V


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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BU808DFI参数

  • 标准包装300
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)700V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.6V @ 500mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)400µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 5A,5V
  • 功率 - 最大52W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOWATT-218-3
  • 供应商设备封装ISOWATT-218
  • 包装管件