时间：2025/11/8 3:48:20
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BU7495HFV-TR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的高精度、低噪声、低压差线性稳压器（LDO），专为需要稳定电源供应的便态设备和便携式电子设备设计。该器件采用HVSOF-5封装，具有较小的外形尺寸，非常适合空间受限的应用场景。BU7495HFV-TR能够在较宽的输入电压范围内（通常为2.5V至6.0V）工作，并提供固定的输出电压版本（如3.3V或可调版本，具体取决于后缀标识）。其内部集成了过流保护、过热保护以及反向电流防止功能，确保在各种异常条件下仍能安全运行。这款LDO特别适用于对电源噪声敏感的应用，例如射频模块、音频处理电路、传感器接口和精密模拟前端等。此外，BU7495HFV-TR支持使用小型陶瓷电容器进行输出补偿，有助于减小整体解决方案的尺寸和成本。由于采用了先进的CMOS工艺制造，该器件在满载及轻载条件下均表现出优异的电源抑制比（PSRR）和极低的静态电流，从而延长了电池供电系统的续航时间。其额定工作温度范围为-40°C至+125°C，适用于工业级环境下的可靠运行。
型号：BU7495HFV-TR
制造商：ROHM
封装/外壳：HVSOF-5
引脚数：5
输出类型：固定或可调（依具体子型号而定）
输出电压：典型值3.3V（若为固定版）
最大输出电流：150mA
输入电压范围：2.5V ~ 6.0V
压差电压（典型值）：200mV @ 150mA
静态电流（IQ）：约70μA（典型值）
关断电流：<1μA
电源抑制比（PSRR）：60dB @ 1kHz（典型值）
工作结温范围：-40°C ~ +125°C
存储温度范围：-65°C ~ +150°C
输出电容要求：≥1.0μF 陶瓷电容
安装类型：表面贴装（SMD）
BU7495HFV-TR具备出色的动态响应能力和高稳定性，即使在负载电流快速变化的情况下也能维持输出电压的高度平稳。其内部电路结构经过优化设计，采用全P沟道MOSFET作为传输元件，显著降低了传统NPN型LDO中的饱和压降问题，从而实现了更低的压差电压和更高的转换效率。这种设计使得它在电池供电系统中尤为适用，可以在电池电压接近截止点时继续为负载提供有效供电，最大限度地利用电池能量。
该器件具有极高的电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达60dB以上，能够有效滤除来自上游电源（如开关电源）的纹波和噪声，保障后级敏感电路的正常运行。这对于通信设备中的RF放大器、ADC/DAC参考电压源以及音频编解码器等应用至关重要。同时，其低输出噪声特性（通常小于40μVRMS）进一步提升了信号链路的整体信噪比性能。
为了提高系统可靠性，BU7495HFV-TR集成了多重保护机制。当输出短路或过载发生时，内部限流电路会自动限制输出电流以防止损坏；若芯片温度超过安全阈值（约150°C），热关断功能将立即切断输出并进入保护状态，待温度下降后自动恢复运行。此外，还具备反向电流阻断功能，在输入端突然掉电时可防止电流从输出端倒灌回芯片，避免潜在损害。
该LDO支持使用小型1.0μF及以上容量的陶瓷输出电容器即可实现环路稳定，无需额外添加ESR电阻或大容量电解电容，大幅简化外围电路设计并节省PCB空间。配合其超小型HVSOF-5封装，非常适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端及其他紧凑型电子产品中。整个制造过程符合RoHS环保标准，且支持卷带包装（-TR表示卷带出货），便于自动化贴片生产。
BU7495HFV-TR广泛应用于多种需要高效、低噪声电源管理的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品，如智能手表、TWS耳机、健康监测设备和移动支付终端，这些设备对功耗和空间布局有严格要求，而该LDO的小尺寸与低静态电流特性恰好满足此类需求。
在工业控制领域，它可用于为传感器信号调理电路、微控制器单元（MCU）I/O电源轨或实时时钟（RTC）模块供电，确保在恶劣环境下依然保持稳定的电压输出。其高PSRR和低温漂特性也使其成为精密测量仪器中基准电压源的理想选择。
通信设备方面，该器件常用于为Wi-Fi模组、蓝牙芯片、GNSS接收器以及光纤收发器中的模拟部分提供干净的电源，有效减少电磁干扰对信号完整性的不利影响。在汽车电子中，尽管并非AEC-Q100认证产品，但在非关键车载附件如行车记录仪、车载信息娱乐系统的辅助电源中仍有应用潜力。
此外，BU7495HFV-TR还可用于医疗电子设备，例如血糖仪、脉搏血氧计等手持式诊断工具，为其内部的低功耗处理器和模拟前端供电，确保长时间工作的稳定性和准确性。总体而言，凡是需要高稳定性、低噪声、小体积和长续航能力的低压差稳压场景，BU7495HFV-TR都是一个极具竞争力的选择。
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XC6206P332MR-G
TPS7A0533DRYR
