型号：BU7465HFV-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　通道数：1
　　电源电压（单电源）：1.8V 至 5.5V
　　输入失调电压：±1.0 mV（最大值）
　　输入偏置电流：1 pA（典型值）
　　增益带宽积（GBW）：5.0 MHz
　　转换速率（Slew Rate）：2.0 V/μs
　　共模抑制比（CMRR）：90 dB（典型值）
　　电源抑制比（PSRR）：90 dB（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：HSOP5
　　引脚数：5
　　轨对轨输入：是
　　轨对轨输出：是
　　单位增益稳定：是
　　静态电流：600 μA（典型值）
　　输出电流：±30 mA（典型值）
　　带宽（-3dB）：约 5.0 MHz
　　噪声电压（1kHz）：28 nV/√Hz（典型值）

BU7465HFV-TR的核心特性之一是其轨对轨输入与输出能力，使其在低电压供电环境下依然能够充分利用电源动态范围，显著提升信噪比和系统灵敏度。该运放采用先进的CMOS输入级设计，输入阻抗极高，输入偏置电流低至1pA级别，特别适合用于高阻抗传感器信号放大，如光电二极管、热电偶、压力传感器等微弱信号采集场景。其输入失调电压仅为±1mV（最大值），且具有较低的温漂系数，保证了在宽温范围内长期工作的稳定性与准确性。
　　该器件的增益带宽积达到5MHz，支持中高频信号处理需求，可广泛应用于有源滤波器、电压跟随器、差分放大器、电流检测放大电路等多种拓扑结构。转换速率为2V/μs，能够在不失真的前提下快速响应输入信号的变化，适用于对瞬态响应要求较高的场合。内部集成的频率补偿网络确保其在单位增益配置下仍能稳定运行，无需外加补偿元件，简化了外围电路设计。
　　BURR-BROWN架构优化结合低噪声设计，使得电压噪声密度仅为28nV/√Hz @1kHz，电流噪声也极低，有效降低了整体输出噪声水平。高共模抑制比（90dB）和电源抑制比（90dB）进一步增强了其在存在共模干扰或电源波动环境下的抗干扰能力。此外，该芯片具备出色的驱动能力，可直接驱动数百皮法级别的容性负载，适用于长线传输或LCD背板驱动等应用场景。
　　低功耗设计使其静态电流仅为600μA，非常适合电池供电设备，延长了系统的续航时间。工作温度范围覆盖-40°C至+125°C，满足工业级甚至部分汽车电子应用的需求。HSOP5封装不仅节省PCB空间，还具备较好的热导出性能，提高了功率密度下的可靠性。整个芯片设计符合RoHS环保标准，并通过了严格的可靠性测试，确保在严苛环境下长期稳定运行。

BU7465HFV-TR广泛应用于各类对精度、功耗和尺寸有较高要求的电子系统中。典型应用包括便携式医疗设备如血糖仪、血氧计中的生物电信号放大；工业自动化领域的压力、温度、湿度传感器信号调理电路；消费类电子产品中的触摸屏控制器前端放大器、音频前置放大等；此外，在数据采集系统（DAQ）、电池管理系统（BMS）中的电流检测模块、可穿戴设备的心率监测单元中也有广泛应用。由于其优异的直流精度和低噪声特性，该器件常被用于精密测量仪器，例如数字万用表、示波器探头缓冲器、热电堆红外测温前端等。在汽车电子领域，可用于车载传感器接口、车内环境监控模块等非动力总成相关的小信号处理单元。其轨对轨特性使其在单电源低压系统中表现出色，尤其适合使用3.3V或5V供电的嵌入式系统。同时，该芯片也可作为ADC驱动器，提供稳定的信号源以提高模数转换精度。在物联网（IoT）节点中，BU7465HFV-TR可用于连接各类MEMS传感器并进行初步信号放大与滤波，从而提升整个传感链路的信噪比与可靠性。

LMV358IDDFR,BU7211HFV-C,BU7212FVM-TR,BU7214HFV-M,BU7216HFV-M