型号：BU7441G-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：音频运算放大器
　　通道数：2（双通道）
　　增益带宽积（GBW）：10MHz（典型值）
　　压摆率（Slew Rate）：5V/μs（典型值）
　　输入偏置电流：1pA（典型值）
　　输入失调电压：1.5mV（最大值）
　　电源电压范围：2.7V 至 5.5V
　　静态电流：3.6mA（每通道典型值）
　　总谐波失真+噪声（THD+N）：0.0009%（典型值，1kHz）
　　噪声密度：15nV/√Hz（典型值）
　　单位增益稳定：是
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：SSOP-J8（8引脚）
　　输出类型：全差分或单端可配置（依具体数据手册而定）
　　CMRR：90dB（典型值）
　　PSRR：80dB（典型值）
　　关断功能：无
　　安装类型：表面贴装（SMD）

BU7441G-TR具备卓越的低噪声性能，其电压噪声密度仅为15nV/√Hz，这一特性使得它在处理微弱音频信号时能够最大限度地保留原始信号细节，避免引入额外的背景噪声。这对于高保真音频系统尤为重要，尤其是在前置放大阶段或驱动高灵敏度耳机时，低噪声意味着更清晰的声音表现和更高的信噪比。该器件的总谐波失真加噪声（THD+N）低至0.0009%，确保了音频信号在放大过程中几乎不会产生可感知的失真，从而提供自然、真实的听觉体验。
　　该芯片拥有10MHz的增益带宽积和5V/μs的压摆率，使其在高频音频信号处理中表现出色，能够准确还原高达20kHz甚至更高频率的音频成分，满足Hi-Fi和专业音频设备对频响宽度的要求。其单位增益稳定的设计允许用户在多种增益配置下使用而无需额外补偿，增强了设计灵活性。输入偏置电流低至1pA，表明其采用的是JFET或CMOS输入级结构，这不仅降低了对前级信号源的负载效应，还能有效减少因输入电流不平衡引起的失调问题。
　　BUR7441G-TR的工作电源电压范围为2.7V至5.5V，兼容大多数3.3V和5V系统，适用于电池供电设备，且静态电流仅为3.6mA每通道，在保证性能的同时兼顾了功耗控制。其高电源抑制比（PSRR）和共模抑制比（CMRR）分别达到80dB和90dB，能够在存在电源波动或共模干扰的环境中保持稳定的放大性能，提升了系统的抗干扰能力。该器件采用SSOP-J8小型封装，便于在空间受限的应用中布局布线。此外，芯片内置热关断和短路保护机制，可在异常工作条件下自动切断输出，防止器件损坏，提高系统可靠性。

BU7441G-TR广泛应用于对音质要求较高的消费类电子和专业音频设备中。常见用途包括便携式音乐播放器中的耳机放大器，用于驱动各种阻抗级别的耳机，提供强劲且清晰的音频输出。在主动降噪耳机或TWS（真无线立体声）耳塞中，该芯片可用于音频信号的缓冲与放大，配合ADC/DAC实现高质量的声音再现。它也常用于音频前置放大器模块，特别是在麦克风信号调理电路中，利用其低噪声和高输入阻抗特性来增强微弱声音信号。
　　在录音设备、USB音频接口和语音识别系统中，BU7441G-TR可作为模拟信号链中的关键增益级，确保采集到的音频信号具有高保真度。此外，该器件适用于小型有源音箱、智能音箱的音频子系统、电视音响板卡以及车载信息娱乐系统的音频路径设计。由于其良好的直流精度和交流性能，也可用于精密测量仪器中的信号调理环节，例如生物电信号放大等需要低失真和低漂移的场景。教育类电子套件和开发板有时也会选用此芯片作为音频实验模块的核心组件，帮助学生理解运算放大器在实际音频电路中的应用方式。

BA4560F-E2
　　NJM4560
　　TL072
　　RC4580