型号：BU72436KV
　　类型：CMOS运算放大器
　　通道数：2
　　电源电压范围：1.8V 至 5.5V
　　静态电流：典型值 60μA/通道
　　输入偏置电流：典型值 1pA
　　输入失调电压：典型值 0.5mV，最大值 2mV
　　增益带宽积（GBW）：典型值 250kHz
　　转换速率（Slew Rate）：典型值 0.12V/μs
　　共模抑制比（CMRR）：典型值 70dB
　　电源抑制比（PSRR）：典型值 70dB
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出电压摆幅：轨到轨
　　输入电压范围：轨到轨
　　封装形式：SSOP-B8 或 DFN8
　　单位增益稳定：是
　　噪声电压（1kHz）：典型值 38nV/√Hz

BU72436KV的核心优势在于其超低功耗与高精度特性的完美结合，使其在电池供电设备中表现尤为突出。该运放采用先进的CMOS输入级设计，实现了极低的输入偏置电流（典型值仅为1pA），这使得它在高阻抗信号源（如光电二极管、pH传感器、热电偶等）的接口电路中能够最大限度地减少信号失真和误差积累。其输入失调电压典型值为0.5mV，最大不超过2mV，并且在整个温度范围内具有良好的漂移特性，确保了系统在不同环境下的长期稳定性。由于具备轨到轨输入和输出能力，BU72436KV可以在单电源低压系统中充分利用供电范围，显著提高动态范围，尤其适用于1.8V、3.3V或5V供电的微控制器前端模拟采集系统。
　　该器件的增益带宽积为250kHz，虽然不属于高速运放范畴，但足以应对大多数低频信号处理需求，例如滤波、电平转换、电流检测放大等。其转换速率为0.12V/μs，配合内部相位补偿机制，保证了在单位增益配置下仍能保持良好稳定性，避免振荡问题。此外，其低静态电流（每通道仅60μA）极大延长了便携式设备的电池寿命，非常适合用于可穿戴设备、无线传感器节点、智能仪表等领域。芯片还具备出色的共模抑制比（CMRR）和电源抑制比（PSRR），均达到70dB以上，有效抑制了外部干扰对信号链的影响，提升了系统的抗噪能力。工作温度支持-40°C至+125°C，满足工业级应用标准，可在恶劣环境下可靠运行。封装方面采用SSOP-B8或DFN8等小型化封装，有利于高密度布局和自动化生产。

BU72436KV广泛应用于各类对功耗和精度有较高要求的电子系统中。典型应用场景包括便携式医疗设备中的生物电信号放大（如心电图ECG、脑电图EEG前置放大器）、工业传感器信号调理电路（如压力、温度、湿度传感器的微弱信号放大）、电池供电的数据采集系统、智能楼宇中的环境监测模块、消费类电子产品中的触摸屏控制器信号处理、以及各种低功耗物联网（IoT）终端设备的模拟前端设计。此外，该器件也常用于精密电压跟随器、有源滤波器、电流-电压转换器（I/V转换，常见于光电检测电路）和桥式传感器放大电路中。由于其轨到轨输入输出能力和低温漂特性，BU72436KV在单电源供电的微控制器（MCU）系统中作为ADC驱动器使用时，能有效提升模数转换的精度和线性度。在自动测试设备（ATE）和手持式仪器中，该运放也被用于构建高输入阻抗缓冲器，以隔离前后级电路并防止负载效应影响测量结果。总之，凡是需要在有限功耗预算下实现高精度模拟信号处理的场合，BU72436KV都是一个极具竞争力的选择。

LMV358
　　TLV2462
　　MAX44260
　　AD8622