时间：2025/5/12 9:23:28
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BU52012HFV-TR 是一款由 ROHM（罗姆）生产的 N 沣道？晶体管 (N-MOSFET)，适用于广泛的开关和功率管理应用。该器件采用超小型封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于消费电子、移动设备以及便携式设备中的负载开关和电源管理电路。
BU52012HFV-TR 的设计注重提高效率和降低功耗，在电池供电设备中表现尤为突出。
最大漏源电压(VDS)：30V
最大栅源电压(VGS)：±8V
连续漏极电流(ID)：2.4A
导通电阻(RDS(on))：65mΩ
栅极电荷(Qg)：6nC
工作温度范围(Ta)：-40°C to +105°C
封装类型：USP-6B
BU52012HFV-TR 具有以下显著特点：
1. 超低的导通电阻 (RDS(on))，有助于减少传导损耗并提升整体效率。
2. 快速的开关速度，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，能够有效降低开关损耗。
3. 小型化封装 (USP-6B)，使得其适合紧凑型设计。
4. 宽泛的工作温度范围 (-40°C 到 +105°C)，适应多种环境条件下的应用需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
BU52012HFV-TR 广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品的负载开关，如智能手机和平板电脑。
2. 电池供电设备的电源管理单元。
3. 可穿戴设备中的高效开关解决方案。
4. 各种 DC-DC 转换器及 LED 驱动电路。
5. 工业控制和通信设备中的信号切换和保护电路。
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