类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：1500 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：1500 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：9 V
　　集电极电流（IC）：8 A
　　峰值集电极电流（ICM）：12 A
　　功耗（PD）：125 W
　　直流电流增益（hFE）：10 至 40
　　过渡频率（fT）：4 MHz
　　工作结温（Tj）：-55 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220F

BU508D具备出色的高电压阻断能力，其集电极-发射极和集电极-基极的额定电压均高达1500V，使其非常适合应用于高压开关电路中，例如CRT显示器和电视机中的行输出级。这种高耐压特性可以有效防止因瞬态过电压导致的器件击穿，从而提高整个系统的可靠性。与此同时，该晶体管在导通状态下能够支持最大8A的连续集电极电流，并可在短时间内承受高达12A的峰值电流，满足大多数中等功率应用的负载需求。这种电流处理能力结合其125W的最大功耗能力，使得BU508D在需要高效能量转换的应用场景中表现优异。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围为10至40，虽然相较于某些低功率信号晶体管略低，但这一增益水平足以驱动较大的负载，且在高电流工作条件下仍能保持良好的线性度和稳定性。其过渡频率为4MHz，意味着它可以在中频范围内实现较为理想的开关响应速度，适用于中速开关操作，如电源变换器中的脉冲控制。此外，BU508D采用了TO-220F封装，具备良好的散热性能，可通过外接散热片进一步提升热管理效率，确保长时间运行时的温度控制在安全范围内。
　　另一个重要特性是其宽泛的工作结温范围，从-55°C到+150°C，表明该器件不仅能在严寒环境中启动，也能在高温工业环境下长期稳定运行。这使得BU508D适用于户外设备、工业控制系统以及车载电子系统等复杂温区应用场景。同时，该器件具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于减少导通损耗，提升整体能效。制造工艺上，BU508D采用先进的硅平面技术，确保了器件的一致性和长期可靠性，并通过了严格的质量测试流程，符合AEC-Q101等车规级可靠性标准的部分要求（视具体批次而定）。
　　此外，BU508D还具备良好的抗二次击穿能力，在高电压大电流同时作用下仍能维持稳定工作，避免发生热失控现象。这一特性对于开关电源和电机驱动等易出现电压电流叠加应力的场合尤为重要。综合来看，BU508D以其高耐压、大电流、良好热稳定性和可靠性的特点，成为众多高压功率开关应用中的优选器件。

BU508D主要用于高压开关和功率放大电路中，典型应用包括CRT电视和显示器的行输出级，其中需要承受高达数千伏的回扫脉冲电压，该器件的1500V耐压能力正好满足此类需求。此外，它也被广泛应用于开关模式电源（SMPS）中，作为主开关管或辅助电源的驱动元件，尤其在反激式和正激式拓扑结构中发挥重要作用。在照明系统中，BU508D可用于荧光灯镇流器或高压气体放电灯（HID）的驱动电路，实现高效的能量转换与控制。
　　在工业控制领域，该晶体管可作为继电器、电磁阀或小型电机的驱动开关，利用其高电流承载能力和快速响应特性，实现对执行机构的有效控制。同时，在逆变器和UPS不间断电源系统中，BU508D可用于DC-AC转换阶段的功率切换，配合其他元器件构成半桥或全桥拓扑结构。由于其具备良好的热稳定性和抗干扰能力，也可用于工业加热设备、电焊机电源模块等高能量转换场景。
　　另外，BU508D还可用于电池充电器、DC-DC变换器以及各类电源适配器中，特别是在需要高输入电压隔离和稳定输出的场合。其TO-220F封装便于安装散热器，有利于在密闭空间内实现有效的热量散发。教育实验平台和电子爱好者项目中也常选用BU508D进行高压开关实验或制作高压发生器，因其参数公开、获取方便且性价比高。总之，BU508D凭借其高耐压、大电流和高可靠性，已成为多种电力电子系统中不可或缺的核心开关元件。

BU508AF\BU508A\2SC5386\2SC5387\MJE13009