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BU508A 发布时间 时间:2022/12/8 14:48:47 查看 阅读:1068

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):700V


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):8A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):700V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 2A, 4.5A

    电流 - 集电极截止(最大):1mA

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):-

    功率 - 最大:125W

    频率 - 转换:7MHz

    安装类型:通孔

    封装/外壳:TO-247-3

    包装:管件

    供应商设备封装:*

    其它名称:497-2599-5


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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  • NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR SILICON T...
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BU508A参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)700V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 2A,4.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-
  • 功率 - 最大125W
  • 频率 - 转换7MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247-3
  • 包装管件
  • 其它名称497-2599-5