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BU505 发布时间 时间:2025/7/23 4:09:16 查看 阅读:7

BU505是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的NPN型功率晶体管,广泛应用于高功率开关和放大电路中。该晶体管以其高电流承载能力和良好的热稳定性著称,适用于各种工业和消费类电子设备中的功率控制和调节。

参数

晶体管类型:NPN型功率晶体管
  最大集电极电流(Ic):4A
  最大集电极-发射极电压(Vce):100V
  最大集电极-基极电压(Vcb):100V
  最大发射极-基极电压(Veb):5V
  最大功耗(Ptot):60W
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  电流增益(hFE):在Ic=2A, Vce=5V时为25至100
  过渡频率(fT):典型值为3MHz

特性

BU505具备多项优异特性,使其在功率晶体管市场中占据重要地位。首先,其高集电极电流能力(最大可达4A)使其适用于高功率应用。其次,该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压(100V),能够在高压环境下稳定工作。此外,BU505的高功耗能力(60W)确保其在高功率负载下仍能保持良好的散热性能,减少过热风险。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围为25至100,取决于工作电流和电压条件,使其在不同的放大和开关应用中都能提供良好的性能。其过渡频率(fT)为3MHz,适用于中高频放大和开关应用。
  BU505采用TO-220封装,具有良好的热管理和机械稳定性,便于安装在散热器上以提高散热效率。其工作温度范围从-65°C至+150°C,使其适用于各种严苛环境下的应用。

应用

BU505广泛应用于多种高功率电子设备中,包括电源供应器、马达驱动器、继电器驱动器、高功率LED驱动器以及各种开关和放大电路。其高电流和高电压特性使其成为工业控制、自动化设备和消费类电子产品中功率控制的理想选择。

替代型号

TIP30C, TIP31C, BU507, BD679

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BU505参数

  • 其它有关文件BU505 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)700V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 900mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)150µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)-
  • 功率 - 最大75W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件