型号：BU4835F-TR
　　制造商：ROHM
　　器件类型：双路CMOS比较器
　　供电电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　静态电流（典型值）：20μA/通道
　　输入偏置电流（典型值）：1pA
　　响应时间（典型值）：6μs
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOT-26
　　通道数：2
　　输出类型：开漏输出
　　输入共模电压范围：0V 至 VDD
　　内置迟滞：有

BU4835F-TR的核心特性之一是其极低的功耗表现，这使其特别适用于依赖电池长时间运行的便携式设备。该芯片的静态电流非常低，典型值仅为20μA每通道，在关闭或待机状态下几乎不消耗额外能量，有助于实现节能设计目标。这一低功耗特性不仅降低了系统整体能耗，还有助于减少热积累，提升系统可靠性。
　　另一个关键特性是其宽输入共模电压范围，支持从地电平（0V）到电源电压（VDD）的全范围输入信号检测。这意味着即使输入信号接近地电位，芯片仍能准确执行比较功能，无需额外的电平偏移电路，简化了前端信号链的设计复杂度。这种能力在监测电池电压、传感器输出或其他低电平模拟信号时尤为重要。
　　该器件内置了内部迟滞功能，有效避免了在输入信号临界点附近因噪声干扰导致的输出频繁跳变问题。迟滞机制通过设置上下两个不同的阈值电压，确保只有当输入差分电压超过一定范围时才会发生状态切换，从而显著提高抗干扰能力和系统稳定性，尤其适合工业环境或电磁干扰较强的使用场景。
　　BU4835F-TR采用开漏输出结构，允许用户外接上拉电阻至任意合适的逻辑电平，从而实现不同电压域之间的电平转换。例如，可以在1.8V核心逻辑与3.3V I/O系统之间无缝通信，增强了其在混合电压系统中的适应性。同时，多个开漏输出可以并联使用以实现“线与”逻辑功能，常用于中断信号合并或故障报警汇总。
　　此外，该芯片具有快速的传播延迟特性（典型响应时间为6μs），可在需要实时响应的应用中提供及时的输出反馈。结合高输入阻抗（输入偏置电流低至1pA），它对前级电路负载影响极小，适用于高源阻抗传感器接口。综合来看，BU4835F-TR以其低功耗、高精度、强抗噪性和灵活的电气接口，成为现代小型化电子系统中理想的比较器解决方案。

BU4835F-TR广泛应用于各种需要低功耗、高精度电压比较功能的电子系统中。常见用途包括电池供电设备中的电压监控与管理，例如在智能手机、平板电脑或智能手表中用于检测电池剩余电量，并在电压低于设定阈值时触发低电量警告或自动关机保护机制。其宽电源电压适应能力使其能够直接连接到不同类型的电池组，无需额外稳压电路。
　　在便携式医疗设备中，如血糖仪、体温计或心率监测器，BU4835F-TR可用于传感器信号的阈值判断，将微弱的生理信号转化为数字脉冲，供微控制器进一步处理。由于其输入偏置电流极低，不会对高输出阻抗的生物传感器造成负载效应，保证了测量精度。
　　该芯片也常用于过压与欠压锁定（OVP/UVP）保护电路中，作为电源管理系统的一部分。当检测到供电电压异常时，比较器可迅速切断后续电路供电，防止损坏敏感元件。其内置迟滞功能有效防止了在临界电压附近反复启停的问题。
　　在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，BU4835F-TR被用来实现唤醒检测功能。例如，当某个传感器输出超过预设门限时，比较器输出变化可唤醒处于睡眠模式的MCU，从而实现按需工作的节能架构。
　　此外，它还可用于振荡器构建、窗口比较器设计、光敏电阻亮度检测、电机堵转保护等多种模拟信号处理任务。得益于其SOT-26小型封装，该器件非常适合PCB空间极为有限的高密度布局设计，满足现代电子产品微型化的发展趋势。

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