BU4818F-TR 时间：2025/12/25 11:43:21 阅读：12

BU4818F-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的低电压、低功耗的CMOS比较器芯片，专为便携式电子设备和电池供电系统设计。该器件内部集成了两个独立的电压比较器，具备高精度、快速响应和宽工作电压范围等优点，适用于多种模拟信号处理应用。其封装形式为SOP-8（小外形封装），具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在紧凑型电路板上进行表面贴装。BU4818F-TR的工作温度范围通常为-40°C至+85°C，满足工业级应用需求。该芯片广泛应用于电源管理、电池检测、传感器信号调理、过压/欠压保护电路以及消费类电子产品中。
　　该比较器采用CMOS工艺制造，输入偏置电流极低，典型值可低至1pA，因此对高阻抗信号源的影响非常小。输出结构为推挽式CMOS输出，无需外部上拉电阻即可直接驱动数字逻辑电路（如TTL或CMOS电平兼容），简化了外围电路设计。此外，BU4818F-TR具有较快的传播延迟时间，在满负载条件下典型值约为2.5μs，能够实现快速的电压状态判断与响应。由于其低静态电流消耗（典型值约30μA/通道），非常适合用于需要长时间运行且依赖电池供电的应用场景。

参数

型号：BU4818F-TR
　　类型：双路CMOS比较器
　　通道数：2
　　工作电压范围：1.8V ~ 5.5V
　　输入偏置电流：1pA（典型值）
　　静态电流：60μA（总，典型值）
　　传播延迟时间：2.5μs（典型值）
　　输出形式：CMOS推挽输出
　　输出兼容性：TTL/CMOS电平兼容
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOP-8
　　单位增益带宽：未定义（比较器特性）
　　失调电压：±5mV（最大值）

特性

BU4818F-TR作为一款高性能CMOS双比较器，其最显著的特点之一是超低的输入偏置电流，典型值仅为1pA，这使得它在处理来自高阻抗传感器（如光电二极管、热敏电阻或化学传感器）的微弱信号时表现出色。这种极低的输入电流几乎不会对被测电路造成负载效应，从而保证了信号采集的准确性。同时，该器件的输入共模电压范围非常宽，可以延伸到负电源轨（GND）甚至略低于地电平，允许在单电源系统中处理接近零伏的输入信号，极大地提升了设计灵活性。
　　另一个关键优势是其CMOS推挽输出结构。与传统的开漏输出比较器不同，BU4818F-TR无需外接上拉电阻即可提供完整的高/低电平输出，不仅节省了PCB空间，还减少了元件数量和功耗。输出电平与TTL和CMOS逻辑完全兼容，可以直接连接到微控制器、FPGA或其他数字处理单元，简化了模拟与数字系统的接口设计。此外，该芯片的静态电流极低，总典型值仅为60μA，使其成为电池供电设备（如智能穿戴设备、无线传感器节点、便携式医疗仪器）中的理想选择。
　　在动态性能方面，BU4818F-TR具备2.5μs的典型传播延迟时间，能够在毫秒级时间内完成电压比较任务，适用于对响应速度有一定要求但又不需要纳秒级高速的应用场合。其失调电压控制在±5mV以内，确保了较高的比较精度，避免因内部误差导致误触发。整个器件采用SOP-8小型化封装，便于自动化贴片生产，并具备良好的散热性能和抗干扰能力。综合来看，BU4818F-TR在功耗、精度、集成度和易用性之间实现了良好平衡，是一款适用于广泛通用比较任务的可靠器件。

应用

BU4818F-TR因其低功耗、高精度和易于使用的特性，被广泛应用于各类电子系统中。常见用途包括电池供电设备中的电量检测电路，例如通过比较电池电压与参考电压来判断是否需要充电或关机，常用于蓝牙耳机、智能手环、远程遥控器等产品中。在电源管理系统中，可用于构建过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）或电源就绪指示电路，保障系统在安全电压范围内运行。
　　该芯片也常用于传感器信号调理模块，尤其是当传感器输出为微弱模拟信号时，BU4818F-TR可将连续变化的电压转换为数字开关信号供MCU读取，例如光强度检测、温度阈值报警、液体存在检测等应用场景。在工业控制领域，可用于构建窗口比较器（配合多个器件使用），监测某一物理量是否处于设定的安全区间内。此外，还可用于脉冲宽度调制（PWM）信号生成、振荡器电路、ADC前级预处理电路等功能模块中。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电子书阅读器中也常采用此类低功耗比较器进行背光控制、插拔检测（如耳机插入唤醒）、触摸按键反馈等辅助功能。由于其工作电压范围宽（1.8V~5.5V），既可以与3.3V主控系统配合使用，也能适配1.8V或2.5V的低压逻辑系统，具备良好的系统兼容性。总之，BU4818F-TR适用于所有需要将模拟电压与参考电平进行比较并产生数字输出的场景，尤其适合对功耗敏感和空间受限的设计。