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BU4234F-TR 发布时间 时间:2025/5/8 16:46:14 查看 阅读:3

BU4234F-TR是一款由ROHM公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其主要应用领域包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各种消费类电子产品的功率控制电路。
  BU4234F-TR的低导通电阻特性使得它在高效能要求的应用中表现优异,同时其封装形式便于表面贴装工艺,适合自动化生产。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极阈值电压(典型值):2.5V
  功耗:17W
  工作温度范围:-55℃ to 150℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,适用于高频开关电源设计。
  3. 高耐压能力,能够在较宽的电压范围内稳定运行。
  4. 小型化DPAK封装,提供更好的散热性能和易于焊接的表面贴装方式。
  5. 支持高温环境下的长期可靠运行,适合工业级或车规级应用。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率控制元件。
  3. 各种负载开关电路中的关键组件。
  4. 电机驱动及电池管理系统中的功率调节。
  5. 消费类电子产品中的高效能功率管理模块。

替代型号

BU4234FSE, BU4234HW-MT

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BU4234F-TR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - 监控器
  • 系列-
  • 类型简单复位/加电复位
  • 监视电压数目1
  • 输出开路漏极或开路集电极
  • 复位低有效
  • 复位超时可调节/可选择
  • 电压 - 阀值3.4V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-SOP
  • 供应商设备封装4-SOP
  • 包装带卷 (TR)