BU4225FVE-TR 时间：2025/11/8 9:11:45 阅读：7

BU4225FVE-TR是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的高精度、低功耗的电压检测器IC，主要用于监控系统电源电压并在电压低于或高于设定阈值时提供复位信号。该器件广泛应用于需要稳定电源管理和可靠启动过程的电子设备中，例如微控制器单元（MCU）、嵌入式系统、便携式设备和工业控制系统等。BU4225FVE-TR采用CMOS工艺制造，具有极低的静态电流消耗，适用于对功耗敏感的应用场景。该芯片封装形式为SOT-26，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用。其内部集成了高精度电压参考源、比较器和输出驱动电路，能够实现稳定的电压检测与复位控制功能。此外，该器件具备良好的温度稳定性，在宽温度范围内（通常为-40°C至+105°C）都能保持精确的检测性能。BU4225FVE-TR支持固定阈值电压版本，出厂时已设定好检测电平，用户无需外部调节，简化了设计流程并提高了系统可靠性。

参数

工作电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　检测电压精度：±1.0%（典型值）
　　静态电流：0.45μA（典型值）
　　输出类型：N沟道开漏输出
　　复位延迟时间：内部集成固定电容，典型值为200ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　封装形式：SOT-26
　　阈值电压：2.5V（固定）
　　输出低电平电压：最大0.4V（IOL=1.0mA）
　　响应时间：典型值为5μs
　　耐压能力：输入引脚最高可承受6V电压

特性

BU4225FVE-TR的核心特性之一是其超低功耗设计，静态电流仅为0.45μA，这使其非常适合用于电池供电设备或长期运行的低功耗系统中。由于采用了先进的CMOS工艺，该器件在极低电流下仍能维持高精度的电压检测能力，确保系统在电源波动时仍能可靠工作。其电压检测精度高达±1.0%，在全温度范围和输入电压变化条件下均能保持稳定，避免误触发或漏检情况的发生。
　　另一个重要特性是内置复位延迟时间功能。该芯片内部集成了定时电容，复位脉冲宽度典型值为200ms，无需外接延迟电容或RC网络，从而节省了PCB空间并减少了外围元件数量，提升了系统的整体可靠性。当电源电压上升至设定阈值以上后，芯片会自动延时输出有效的复位释放信号，确保微控制器或其他数字电路有足够的时间完成初始化操作。
　　输出结构采用N沟道开漏方式，允许用户根据系统需求连接上拉电阻至任意逻辑电压等级（只要不超过最大额定值），从而实现与不同电压域的兼容性。这种灵活性使得BU4225FVE-TR可以轻松集成到多种电源架构中，包括3.3V、2.5V甚至1.8V逻辑系统。
　　此外，该器件具有出色的抗噪声能力和快速响应时间（典型值5μs），能够在电压骤降或浪涌发生时迅速做出反应，及时发出复位指令以保护系统免受异常状态影响。它还具备良好的长期稳定性与可靠性，经过严格的生产测试和老化筛选，适用于工业级和消费类应用场景。

应用

BU4225FVE-TR常被用于需要高可靠性电源监控的各种电子系统中。典型应用包括微控制器（MCU）的上电复位（Power-On Reset, POR）和欠压复位（Brown-Out Reset, BOR）电路，确保MCU在电源未达到稳定水平前不会开始执行程序，防止因电压不足导致的程序跑飞或数据损坏。在便携式设备如智能手表、无线传感器节点、物联网终端等产品中，该芯片凭借其超低静态功耗特性，有效延长了电池使用寿命。
　　在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、远程I/O单元、智能仪表等设备中的电源管理单元，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。在通信设备中，如路由器、交换机和基站控制板中，BU4225FVE-TR可用于监控辅助电源轨是否正常，一旦发现异常立即触发复位机制。
　　此外，该芯片也适用于医疗电子设备、汽车电子附件（非动力系统部分）、智能家居控制器等对安全性和稳定性要求较高的场合。由于其小尺寸封装和无须外部元件的特点，特别适合高度集成化的现代电子产品设计。通过合理配置上拉电阻和负载连接，还可实现多级电源排序或与其他监控电路协同工作的复杂电源管理系统。