型号：BU4218F-TR
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SSOP-B8
　　引脚数：8
　　输出电压：1.8V（固定）
　　输出电流：最大300mA
　　输入电压范围：2.5V ~ 5.5V
　　静态电流：典型值4.0μA
　　关断电流：最大0.1μA
　　压差电压：典型值110mV @ Iout=100mA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　调节类型：固定正电压输出
　　线路调整率：典型值0.02%/V
　　负载调整率：典型值±0.1%
　　输出电容要求：陶瓷电容，推荐1.0μF以上
　　PSRR（电源抑制比）：典型值60dB @ 1kHz

BU4218F-TR的核心优势在于其超低静态电流与高精度电压调节能力，这使其特别适用于由电池长期供电的应用场景。在待机或轻载状态下，该芯片仅消耗约4μA的静态电流，显著延长了电池使用寿命，尤其适合物联网终端、无线传感器节点、可穿戴设备等对能耗极为敏感的产品。
　　该LDO采用了CMOS工艺制造，具备出色的温度稳定性与长期可靠性。其内部基准电压源经过精密修调，确保在整个工作温度范围内输出电压偏差不超过±2%，保证了后级数字逻辑电路或模拟前端的正常运行。压差电压仅为110mV（在100mA负载下），意味着即使输入电压接近输出电压时仍能维持稳定输出，提高了能源利用效率。
　　芯片内置多重保护机制，包括热关断保护（Thermal Shutdown）和电流限制功能。当结温超过安全阈值（通常为150°C左右）时，热关断电路会自动切断输出，防止芯片因过热损坏；当输出短路或过载时，限流电路将输出电流限制在安全范围内，避免烧毁器件。
　　BU4218F-TR支持使用小型陶瓷输出电容（推荐≥1.0μF），无需额外添加ESR电阻即可保持环路稳定，简化了外部元件选型和PCB设计复杂度。其高达60dB的电源抑制比（PSRR）可在高频噪声环境下有效滤除输入端的纹波干扰，提升系统的抗干扰能力，适用于射频模块、音频处理单元等对电源纯净度要求较高的场合。
　　此外，该器件提供使能（Enable）引脚，允许外部微控制器对其进行开关控制，实现系统的低功耗管理模式。当EN引脚拉低时，芯片进入关断模式，此时电流消耗低于0.1μA，几乎不消耗电池能量，非常适合用于需要间歇性工作的嵌入式系统。整体来看，BU4218F-TR是一款高性能、高集成度的低压差线性稳压器，兼顾效率、精度与安全性，满足现代电子设备对小型化与节能化的双重需求。

BU4218F-TR广泛应用于各类低功耗、便携式电子设备中。常见用途包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨供电，例如为实时时钟（RTC）、传感器模块或蓝牙/Wi-Fi射频前端提供稳定电压；在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，用于为主控MCU或生物信号采集芯片供电，在保证长时间续航的同时维持精确的电压输出。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC子模块、远程I/O单元或无线传感网络节点中，作为低噪声电源解决方案，提高系统测量精度与通信稳定性。在消费类电子产品方面，BU4218F-TR常被用于TWS耳机充电仓、智能家居控制器、电子标签（e-Tag）及小型遥控器等产品中，发挥其小体积、低功耗的优势。
　　此外，由于其优异的瞬态响应能力和高PSRR表现，也适用于对电源质量要求较高的模拟电路供电，如运算放大器、ADC/DAC参考电压源或低噪声放大器（LNA）等。在汽车电子中，虽然其工作温度上限为85°C，不适合高温区主控单元，但可用于车用信息娱乐系统的外围低功耗模块或车载记录仪等温和环境下的应用场景。总体而言，只要系统需要一个高效、可靠且节省空间的低压差稳压方案，BU4218F-TR都是一个理想选择。

BD4218FJ-LB-E