时间：2025/5/22 1:23:12
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BU25TA2WNVX-TR 是一款由 ROHM 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化封装设计，适用于各种高效率、低功耗的应用场景。它广泛应用于开关电源、电机驱动器以及需要高频开关性能的电路中。
BU25TA2WNVX-TR 的主要特点是其极低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
型号：BU25TA2WNVX-TR
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：18A
导通电阻Rds(on)：2.9mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷Qg：7nC（典型值）
输入电容Ciss：485pF（典型值）
工作结温范围Tj：-55°C至+175°C
封装形式：LFPAK88-8
1. 极低的导通电阻（2.9mΩ），可显著降低导通损耗。
2. 高开关速度，适合高频应用场合。
3. 较高的电流承载能力（18A），满足大功率需求。
4. 宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应恶劣环境条件。
5. 小型化封装（LFPAK88-8），节省PCB空间并提高散热性能。
6. 符合铅材料制造。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. DC-DC 转换器中的主开关管或续流二极管替代品。
4. 电池保护电路中的负载开关。
5. 各种需要高效功率转换的电子设备，例如消费类电子产品、工业控制设备等。
BUK7B1R6-30E,
IRLZ44N,
FDP5512,
AO3400
