型号：BU25P-TCS-LE(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管极性：N-Channel
　　漏源电压(VDSS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：8.5A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：34A
　　导通电阻(RDS(on))_max @ VGS=10V：25mΩ
　　导通电阻(RDS(on))_max @ VGS=4.5V：36mΩ
　　栅极电荷(Qg) typ：10nC
　　输入电容(Ciss) typ：500pF
　　开启延迟时间(td_on)：10ns
　　上升时间(tr)：28ns
　　关断延迟时间(td_off)：27ns
　　下降时间(tf)：15ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装/外壳：TSM

BU25P-TCS-LE(LF)(SN) 采用罗姆先进的Trench结构MOSFET技术，显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡关系，从而提升了整体能效。其低RDS(on)特性在VGS=10V时最大仅为25mΩ，在VGS=4.5V时也仅为36mΩ，这使得该器件即使在低驱动电压条件下也能保持优异的导通性能，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景，如微控制器I/O控制或低电压电源开关。该器件的栅极电荷Qg典型值仅为10nC，意味着在高频开关应用中可以显著降低驱动功耗，提升系统效率。同时，较低的输入电容（Ciss=500pF）进一步减少了开关过程中的充放电能量损耗，有助于实现更高的开关频率，适用于紧凑型DC-DC变换器和同步整流电路。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性与可靠性，TSM封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的散热性能，能够有效传导工作时产生的热量。器件的最大连续漏极电流可达8.5A，脉冲电流更高达34A，表明其具备较强的瞬态负载承受能力，适用于启动电流较大的负载切换场合。此外，其开关时间参数表现出色：开启延迟时间约10ns，上升时间28ns，关断延迟时间27ns，下降时间15ns，这些参数确保了快速且可控的开关行为，有助于减少交叉导通风险并提高电源系统的动态响应能力。
　　工作结温范围从-55°C到+150°C，使该器件能够在极端环境温度下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。器件符合JEDEC标准的可靠性测试要求，并具备优良的抗雪崩能力和抗静电（ESD）保护特性。此外，产品采用无铅（Lead-Free）和无卤素材料设计，符合RoHS和REACH环保指令，适合用于绿色电子产品制造。整体来看，BU25P-TCS-LE(LF)(SN)是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，兼顾低功耗、小尺寸与强驱动能力，是现代高效电源系统中的理想选择。

该N沟道MOSFET广泛应用于多种电源管理场景，包括但不限于同步降压转换器、DC-DC电源模块、负载开关、电池供电设备的电源路径控制、LED驱动电路以及电机驱动中的低端开关。其低导通电阻和快速开关特性使其特别适合用于高效率、高频率工作的开关电源设计。此外，由于其小型化封装和良好热性能，常被用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中，作为主电源开关或背光控制开关。在工业控制系统中，也可用于继电器替代、电源热插拔控制和过流保护电路。由于其稳定的工作温度范围，该器件还可应用于车载信息娱乐系统、车载充电模块及辅助电源系统中。

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　　 "BU25P2LVX-C-E2",
　　 "DMG2305UW-7",
　　 "SI2305DDS",
　　 "AO3400A",
　　 "FDS6679AS"
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