BU1924FS 是一款由 ROHM(罗姆)生产的低导通电阻 P 沟道功率 MOSFET。该器件具有出色的开关特性和较低的导通损耗,适用于需要高效能和小型化的电路设计。其典型应用场景包括负载开关、电源管理模块以及 DC-DC 转换器等。
BU1924FS 的封装形式为 USP-6T,能够显著节省空间并提供良好的散热性能。同时,它具备较高的电流处理能力以及快速的开关速度,这使其成为消费电子、通信设备以及其他便携式应用的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:-4.1A
导通电阻:55mΩ(在 VGS=-4.5V 时)
栅极电荷:7nC(典型值)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:USP-6T
BU1924FS 提供了较低的导通电阻以减少传导损耗,并且其快速的开关性能可以有效降低开关损耗,从而提升整体效率。
此外,该器件的工作温度范围宽广,能够在极端环境下保持稳定运行。
由于采用了 USP-6T 封装,BU1924FS 不仅实现了高密度安装,还提供了优异的热耗散能力。
此功率 MOSFET 具有内置保护功能,如过温关断和过流限制,可提高系统的可靠性和安全性。
其小尺寸封装非常适合对空间要求严格的应用场景,例如智能手机和平板电脑中的电源管理系统。
BU1924FS 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合,例如:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流;
2. 手机、平板电脑及其他便携式设备内的负载开关;
3. 各类 DC-DC 转换器设计;
4. 电池供电系统中的电源路径管理;
5. 电机驱动电路中的功率级开关元件;
6. 一般工业及消费类电子产品中的电子负载切换和保护。
BU1923FS, BU1925FS