时间：2025/6/17 1:25:33
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BU18TD3WG-TR 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力的特点，能够满足高效能和小型化设计需求。
BU18TD3WG-TR 的封装形式为 WSON6 (2.0x2.4)，这种封装不仅节省了 PCB 空间，还提升了散热性能，非常适合空间受限的应用场合。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：27nC（典型值）
开关时间：ton=4ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：WSON6 (2.0x2.4)
BU18TD3WG-TR 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提升系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高额定电流能力，支持大功率负载控制。
4. 宽工作温度范围，确保在极端条件下依然稳定运行。
5. 小型化封装设计，有助于减小整体解决方案尺寸。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
BU18TD3WG-TR 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
3. 各种电机驱动器，如步进电机、直流无刷电机等。
4. 负载开关和电子保险丝。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制单元。
BUK7Y2R8-40E, IRF540N
