型号：BU12P-TZ-S
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：TZ-S (DFN1210-4)
　　引脚数：4
　　输出电压：1.2V ±1%
　　最大输出电流：300mA
　　输入电压范围：1.7V ~ 5.5V
　　压差电压（典型值）：180mV @ 300mA
　　静态电流（IQ）：典型值 35μA
　　关断电流：≤ 1μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　调节类型：固定输出
　　负载调整率：±5mV
　　线路调整率：±0.1%/V
　　PSRR（电源抑制比）：60dB @ 1kHz
　　输出电容要求：陶瓷电容，≥ 1.0μF
　　保护功能：过流保护、热关断、反向电流防止

BU12P-TZ-S具备优异的动态响应能力，能够在负载快速变化时迅速调整输出电压，保持系统稳定性。其内部电路采用CMOS工艺制造，结合了高增益误差放大器与低导通电阻的PMOS pass transistor，从而实现了极低的压差电压和高效的能量转换效率。这种结构不仅降低了功耗，还减少了散热需求，允许在紧凑的PCB布局中安全运行。
　　该器件的一个关键优势是其超低静态电流，在待机或轻载状态下显著节省电力，特别适用于长期运行的电池驱动设备。例如，在智能传感器或无线模块处于休眠模式时，BU12P-TZ-S仍能为实时时钟或其他关键电路提供稳定电源而不大量消耗电量。
　　集成的热关断功能可在芯片温度超过安全阈值时自动关闭输出，防止因过热导致永久性损坏；同时，内置的电流限制电路可防止短路或过载情况下的异常大电流流动。这些保护机制共同提高了整个电源系统的鲁棒性。
　　BU12P-TZ-S采用无铅环保封装，符合RoHS标准，并支持回流焊工艺，便于自动化生产。其小型DFN封装具有良好的热性能和机械强度，适合高密度贴装。此外，由于不需要复杂的外部补偿网络，设计人员可以轻松实现稳定可靠的电源方案，缩短产品开发周期。
　　该LDO还表现出优秀的噪声抑制能力，PSRR达到60dB@1kHz，有效滤除来自输入端的高频干扰，确保敏感模拟电路（如ADC参考源或射频前端）获得干净的供电。整体而言，BU12P-TZ-S是一款高性能、高可靠性的线性稳压器，兼顾效率、精度与集成度，满足现代低功耗电子产品的严苛要求。

BU12P-TZ-S常用于需要高效、小型化电源解决方案的消费类电子产品和工业设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的辅助电源轨、蓝牙耳机和智能手表等可穿戴设备的主稳压电路、IoT传感器节点的微控制器供电、便携式医疗仪器中的低噪声模拟前端电源，以及各类超低功耗MCU（如ARM Cortex-M系列）的核心电压供应。
　　在无线通信模块中，该LDO可用于为Wi-Fi、Zigbee或LoRa收发器提供稳定的1.2V偏置电压，确保信号完整性和传输质量。由于其出色的瞬态响应和低输出噪声，也适合为高速ADC或DAC等精密数据转换器提供参考电源。
　　此外，BU12P-TZ-S还可作为FPGA或ASIC的辅助I/O电源使用，尤其在那些对启动时间和功耗有严格限制的设计中表现突出。在汽车电子领域，尽管其工作温度上限为+125°C，但仍可用于部分车载信息娱乐系统的非高温区模块供电。
　　由于支持1μA以下的关断电流，该器件非常适合带有使能控制功能的节能型系统，可通过主控MCU按需开启或关闭外围电源，实现精细化电源管理策略。总体来看，BU12P-TZ-S凭借其小尺寸、低功耗和高稳定性，已成为众多便携式和嵌入式系统设计师首选的LDO之一。

BD12P1WU-C, BD12P1HFN-C, XC62FP122MR-G