BU08P-TZ-S 时间：2025/12/27 16:25:52 阅读：13

BU08P-TZ-S是一款由罗姆（ROHM）半导体公司生产的低压差线性稳压器（LDO Regulator），广泛应用于需要稳定电压输出的便携式电子设备和嵌入式系统中。该器件属于ROHM的BDxxGA系列，专为高效率、低功耗应用而设计，适用于对电源噪声敏感的电路环境。BU08P-TZ-S采用小型化封装，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热稳定性和负载调节能力。该LDO能够在输入电压略高于所需输出电压的情况下，提供稳定的3.3V或可调输出电压（具体取决于后缀配置），并支持高达150mA的连续输出电流。其内部集成了过温保护、过流保护和反向电流防止功能，增强了系统的可靠性与安全性。此外，该芯片工作静态电流低，在待机或轻载状态下能够有效延长电池寿命，特别适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点以及各种电池供电的消费类电子产品中。

参数

型号：BU08P-TZ-S
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：低压差线性稳压器（LDO）
　　输出电压：3.3V（固定）
　　输出电流：150mA 最大
　　输入电压范围：2.0V 至 5.5V
　　压差电压：典型值 110mV @ 100mA 负载
　　静态电流：典型值 45μA
　　关断电流：≤ 1μA
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TZ-S（小型表面贴装封装，类似SOT-23-5 或 DFN 类型）
　　调节类型：固定输出
　　负载调整率：±1%
　　线路调整率：±1%
　　输出电容类型：陶瓷电容兼容
　　保护功能：过流保护、过温保护、反向电流防止

特性

BU08P-TZ-S具有出色的动态响应性能和高电源抑制比（PSRR），在宽频率范围内表现出优异的噪声抑制能力，这对于射频模块、音频处理单元和精密模拟前端至关重要。其高PSRR特性意味着即使在输入电源存在波动或噪声干扰的情况下，也能维持干净、稳定的输出电压，从而保障下游电路的正常运行。
　　该器件采用CMOS工艺制造，确保了极低的静态功耗，非常适合长期依赖电池运行的应用场景。当系统进入休眠或低功耗模式时，LDO仍能保持高效运作，不会显著消耗储能资源。此外，其快速启动能力和良好的瞬态响应使它能在负载突变时迅速恢复稳压状态，避免电压跌落或过冲导致系统复位或数据错误。
　　BURNOUPTIME-TZ-S内置多重安全机制，包括热关断电路，当芯片温度超过安全阈值时自动降低输出电流以防止损坏；同时具备限流保护，限制最大输出电流以防短路事故。这些集成保护功能减少了对外部元件的需求，简化了整体电源设计，并提高了系统鲁棒性。
　　其封装采用小型化设计，占用PCB面积小，符合现代电子产品微型化趋势。由于无需外接肖特基二极管来防止反向电流，仅需一个输入电容和一个输出陶瓷电容即可实现完整功能，因此外围电路极为简洁，有助于降低成本和提高生产良率。这种高集成度和易用性使得BU08P-TZ-S成为众多工程师在紧凑型电源设计中的首选方案之一。