时间：2025/5/24 14:05:45
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BTT6030-2EKA 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263-3 封装形式。这款器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其设计特别针对效率优化，能够显著降低系统能耗。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：25nC
开关时间：典型值 t_on=11ns, t_off=25ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
BTT6030-2EKA 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高雪崩能力，可确保在高频开关条件下保持高效运行。
该器件使用先进的沟槽技术制造，具备出色的热性能，有助于延长产品寿命。
其封装形式 TO-263-3 提供了良好的散热性能，并且易于安装于印刷电路板上。
此外，BTT630-2EKA 符合 RoHS 标准，支持环保要求。
这款 MOSFET 常用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动、电池管理系统以及汽车电子领域中的各种功率控制场景。
由于其出色的电气性能和可靠性，BTT6030-2EKA 广泛应用于工业设备、消费电子产品及新能源汽车等市场。
BSC030N06NS3, IRF640N
