BTS5012-1EKA是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET模块,采用STTLP-7封装形式。该器件集成了驱动器IC和功率MOSFET,适用于各种高电流开关应用。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛用于汽车电子领域中的负载开关、电机驱动和DC/DC转换等场景。
BTS5012-1EKA的额定电压为40V,能够承受较高的峰值电流,并具备过温保护和短路保护功能,确保系统在异常情况下的安全性。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:36A
脉冲漏极电流:80A
导通电阻(Rds(on)):4.9mΩ
栅极电荷:37nC
工作温度范围:-40℃至150℃
1. 集成驱动器IC和功率MOSFET,简化设计复杂度。
2. 极低的导通电阻(4.9mΩ),降低功耗并提升效率。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 内置过温保护和短路保护功能,提高系统的可靠性和安全性。
5. 符合AEC-Q101标准,适用于汽车级应用。
6. 小型化封装设计,节省PCB空间。
1. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
2. DC/DC转换器和开关电源设计。
3. 工业自动化中的电磁阀和继电器驱动。
4. LED驱动器和照明控制系统。
5. 电池管理系统(BMS)中的电流开关和保护电路。
BTS5012GAA, BTS5012GAU