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BTS5012-1EKA 发布时间 时间:2025/4/28 15:00:16 查看 阅读:3

BTS5012-1EKA是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET模块,采用STTLP-7封装形式。该器件集成了驱动器IC和功率MOSFET,适用于各种高电流开关应用。它具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,广泛用于汽车电子领域中的负载开关、电机驱动和DC/DC转换等场景。
  BTS5012-1EKA的额定电压为40V,能够承受较高的峰值电流,并具备过温保护和短路保护功能,确保系统在异常情况下的安全性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:36A
  脉冲漏极电流:80A
  导通电阻(Rds(on)):4.9mΩ
  栅极电荷:37nC
  工作温度范围:-40℃至150℃

特性

1. 集成驱动器IC和功率MOSFET,简化设计复杂度。
  2. 极低的导通电阻(4.9mΩ),降低功耗并提升效率。
  3. 快速开关性能,适合高频应用。
  4. 内置过温保护和短路保护功能,提高系统的可靠性和安全性。
  5. 符合AEC-Q101标准,适用于汽车级应用。
  6. 小型化封装设计,节省PCB空间。

应用

1. 汽车电子中的电机控制和负载切换。
  2. DC/DC转换器和开关电源设计。
  3. 工业自动化中的电磁阀和继电器驱动。
  4. LED驱动器和照明控制系统。
  5. 电池管理系统(BMS)中的电流开关和保护电路。

替代型号

BTS5012GAA, BTS5012GAU

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