时间：2025/4/3 9:51:41
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BTS426L1 是一款高性能、低导通电阻的N通道功率MOSFET，专为汽车电子应用设计。该器件采用STMicroelectronics的先进制造工艺，具备出色的热性能和电气特性，适用于大电流开关应用。其TO-220封装形式便于安装和散热，广泛应用于负载开关、电机驱动和DC-DC转换器等领域。
BTS426L1 具有内置的ESD保护功能，能够承受苛刻的工作环境，确保系统在极端条件下的可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：39A
导通电阻（典型值）：8mΩ
栅极电荷：58nC
工作结温范围：-40℃至175℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻，有效降低功耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 内置ESD保护功能，增强器件的鲁棒性。
4. 宽工作温度范围，适应恶劣环境。
5. 符合AEC-Q101标准，确保汽车级可靠性。
6. 快速开关速度，减少开关损耗。
7. TO-220封装，提供良好的散热性能。
1. 汽车电子系统中的负载开关。
2. 直流电机驱动控制。
3. DC-DC转换器和电源管理模块。
4. 电池管理系统中的保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率开关。
6. 各种需要高可靠性和大电流处理能力的应用场景。
BTS426G1, IRFZ44N, STP36NF06
