型号：BTR1B2N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大连续漏极电流（ID）：60A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：240A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on) max）：8mΩ @ VGS=10V, ID=30A
　　导通电阻（RDS(on) typ）：6.5mΩ @ VGS=10V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：4000pF @ VDS=50V, VGS=0V
　　输出电容（Coss）：950pF @ VDS=50V
　　反向传输电容（Crss）：170pF @ VDS=50V
　　总栅极电荷（Qg）：95nC @ VGS=10V, ID=30A
　　上升时间（tr）：45ns
　　下降时间（tf）：65ns
　　最大功耗（PD）：200W @ TC=25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　极性：N-Channel

BTR1B2N作为一款高性能N沟道MOSFET，在多个关键性能维度表现出色，尤其适用于高效率、大电流的功率切换应用。其最显著的特性之一是极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为6.5mΩ，在10V栅压下可实现极小的导通损耗，从而大幅提升电源系统的整体能效。这一特性使得它非常适合用于同步整流、电池供电设备中的功率开关以及大电流DC-DC转换器中，有效降低温升，提高系统可靠性。
　　该器件采用了优化的芯片结构和先进的封装技术，确保在高电流负载下仍能保持稳定的电气性能。其高达60A的最大连续漏极电流和240A的脉冲电流能力，使其能够应对瞬时大电流冲击，如电机启动或短路保护过程中的浪涌电流。同时，出色的热阻特性（低RθJC）结合TO-252封装的良好散热设计，使器件即使在高功率密度环境下也能安全运行。
　　BTR1B2N还具备良好的开关动态特性，输入电容和反向传输电容控制在合理范围内，有助于减少驱动损耗和米勒效应引起的误触发风险，提升高频工作的稳定性。其栅极阈值电压在2.0V至4.0V之间，兼容大多数PWM控制器和逻辑门驱动信号，无需额外的电平转换电路即可直接驱动。
　　此外，该MOSFET经过严格测试，具备较强的雪崩耐量和抗静电能力（ESD protection），能够在异常工况如电压突变、感性负载断开等情况下维持器件完整性，延长使用寿命。综合来看，BTR1B2N是一款兼具低损耗、高可靠性和强驱动能力的功率MOSFET，适用于工业电源、新能源汽车电子、光伏逆变器、电动工具等多种高端应用场景。

BTR1B2N广泛应用于多种电力电子系统中，主要包括：开关模式电源（SMPS）、DC-DC升压/降压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具驱动电路、LED恒流驱动电源、太阳能逆变器、UPS不间断电源、电机控制模块以及家用电器中的功率开关单元。由于其优异的导通特性和热稳定性，特别适合用于需要长时间高负载运行的工业级设备中。此外，在新能源汽车的车载充电机（OBC）和辅助电源系统中也有潜在应用价值。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化生产线，满足现代电子产品对小型化和高集成度的需求。

APT1B2N
　　FQP1B2N
　　IPB1B2N
　　STP1B2N
　　IRFBG20