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BTR04G02 发布时间 时间:2025/5/24 18:03:52 查看 阅读:20

BTR04G02是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景,例如开关电源、电机驱动、负载开关等。该器件采用小型化封装,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,能够在高频应用中提供优异的性能。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:2A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ
  总功耗:1W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

BTR04G02的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗,快速开关能力确保了在高频操作中的高效性,同时具备高静电放电(ESD)防护能力以提高可靠性。此外,其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间,适合便携式和空间受限的设计。
  由于采用了先进的制造工艺,该器件还具有良好的热稳定性和较低的栅极电荷,这使得驱动损耗得以降低,并且能够更方便地与其他逻辑电路兼容。

应用

BTR04G02适用于多种电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源中的同步整流
  2. DC-DC转换器中的功率开关
  3. 电池保护和管理电路
  4. 小型电机驱动
  5. 负载开关及过流保护电路
  6. 消费类电子产品中的信号切换功能

替代型号

BTR04G03, BSS138, FDN340P

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