时间：2025/5/24 18:03:52
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BTR04G02是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景，例如开关电源、电机驱动、负载开关等。该器件采用小型化封装，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频应用中提供优异的性能。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±10V
连续漏极电流：2A
导通电阻（Rds(on)）：65mΩ
总功耗：1W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
BTR04G02的主要特性包括低导通电阻以减少功率损耗，快速开关能力确保了在高频操作中的高效性，同时具备高静电放电（ESD）防护能力以提高可靠性。此外，其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，适合便携式和空间受限的设计。
由于采用了先进的制造工艺，该器件还具有良好的热稳定性和较低的栅极电荷，这使得驱动损耗得以降低，并且能够更方便地与其他逻辑电路兼容。
BTR04G02适用于多种电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源中的同步整流
2. DC-DC转换器中的功率开关
3. 电池保护和管理电路
4. 小型电机驱动
5. 负载开关及过流保护电路
6. 消费类电子产品中的信号切换功能
BTR04G03, BSS138, FDN340P
