BTR04F1是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关的电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:55mΩ
栅极电荷:22nC
开关时间:开启时间 13ns / 关断时间 28ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
BTR04F1具备低导通电阻特性,能够显著减少传导损耗,从而提高整体能效。此外,其快速开关性能有助于降低开关损耗,适合高频应用环境。
BTR04F1还拥有良好的热稳定性和可靠性,在各种工业及消费类电子设备中表现优异。
由于其小型化封装设计(如TO-252),这款功率MOSFET在节省PCB空间方面也有显著优势。
BTR04F1适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
- DC-DC转换器
- 电机控制与驱动
- 电池保护电路
- 各类负载开关应用
凭借其出色的电气特性和热性能,BTR04F1是许多功率管理任务的理想选择。
BTR04N1,BSC048N06NS3