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BTR04F1 发布时间 时间:2025/5/26 20:21:03 查看 阅读:14

BTR04F1是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关的电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻:55mΩ
  栅极电荷:22nC
  开关时间:开启时间 13ns / 关断时间 28ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

BTR04F1具备低导通电阻特性,能够显著减少传导损耗,从而提高整体能效。此外,其快速开关性能有助于降低开关损耗,适合高频应用环境。
  BTR04F1还拥有良好的热稳定性和可靠性,在各种工业及消费类电子设备中表现优异。
  由于其小型化封装设计(如TO-252),这款功率MOSFET在节省PCB空间方面也有显著优势。

应用

BTR04F1适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  - 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
  - DC-DC转换器
  - 电机控制与驱动
  - 电池保护电路
  - 各类负载开关应用
  凭借其出色的电气特性和热性能,BTR04F1是许多功率管理任务的理想选择。

替代型号

BTR04N1,BSC048N06NS3

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