时间：2025/5/26 20:21:03
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BTR04F1是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效开关的电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻：55mΩ
栅极电荷：22nC
开关时间：开启时间 13ns / 关断时间 28ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
BTR04F1具备低导通电阻特性，能够显著减少传导损耗，从而提高整体能效。此外，其快速开关性能有助于降低开关损耗，适合高频应用环境。
BTR04F1还拥有良好的热稳定性和可靠性，在各种工业及消费类电子设备中表现优异。
由于其小型化封装设计（如TO-252），这款功率MOSFET在节省PCB空间方面也有显著优势。
BTR04F1适用于多种应用场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)中的同步整流
- DC-DC转换器
- 电机控制与驱动
- 电池保护电路
- 各类负载开关应用
凭借其出色的电气特性和热性能，BTR04F1是许多功率管理任务的理想选择。
BTR04N1,BSC048N06NS3
