时间：2025/5/21 12:02:59
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BTM7750G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，非常适合用于要求高效能和小尺寸的应用场景。
BTM7750G 的封装形式为 D2PAK-7 (TO-263-7)，这使得它在散热性能和电气连接方面表现优异。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率转换的场合。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：75A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：190nC
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：D2PAK-7 (TO-263-7)
BTM7750G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，能够满足大功率应用需求。
3. 低栅极电荷，可以降低开关损耗。
4. 良好的热性能设计，确保在高功率密度下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
6. 采用 D2PAK-7 封装，提供卓越的散热能力和坚固的机械结构。
BTM7750G 适用于以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机驱动电路中的功率级，例如电动工具、家用电器等。
3. 工业自动化设备中的负载开关。
4. 新能源汽车（EV/HEV）中的 DC-DC 转换器。
5. 大功率 LED 照明系统的驱动电路。
6. 任何需要高性能功率管理的电子设备。
BTS7750G
