时间：2025/12/24 1:22:58
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BTM7710G是一款双通道N沟道MOSFET功率晶体管，采用SO-8封装形式。该器件主要应用于需要高效开关性能和低导通电阻的电路中。其出色的电气特性使其成为各种电源管理应用的理想选择，例如负载开关、电机驱动器、DC-DC转换器等。该器件具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关速度的特点，能够显著降低系统功耗并提高效率。
BTM7710G在设计上优化了栅极电荷，从而减少了开关损耗，并且能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：19nC
开关时间：ton=23ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 两个独立的N沟道MOSFET集成在同一封装内，适合多路输出控制。
2. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提升整体效率。
3. 高速开关性能，支持高频操作，有助于缩小无源元件尺寸。
4. SO-8小型化封装，便于PCB布局和散热设计。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料制作。
6. 在恶劣环境下的可靠性强，具备良好的短路耐受能力。
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. 工业控制中的电机驱动和继电器替代。
3. 消费类电子产品的适配器及充电器。
4. DC-DC转换器中的同步整流电路。
5. 多通道电源系统的并联或隔离控制。
6. LED驱动电路中的电流调节模块。
IRF7710G, FDN340P
